锑化镓晶体生长除杂装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201620817387.4

申请日：

2016-08-01

公开(公告)号：

CN205856650U

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

郭文斌徐永宽李璐杰张颖武霍晓青司华青张志鹏练小正程红娟

申请人：

申请人地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

C30B1500

IPC分类号：

C30B2940

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

王凤英

法律状态：

避免重复授权放弃专利权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-11	避免重复授权放弃专利权	避免重复授予专利权 IPC(主分类):C30B 15/00 申请日:20160801 授权公告日:20170104 放弃生效日:20180911
2017-01-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种锑化镓晶体生长除杂装置 [P].

郭文斌 ;

徐永宽 ;

张颖武 ;

李璐杰 ;

司华青 ;

霍晓青 ;

董彦辉 ;

练小正 ;

于凯 .

中国专利 :CN106435710A ,2017-02-22

[2]

一种用于大直径锑化镓晶体生长除杂装置 [P].

郑红军 ;

袁韶阳 ;

于会永 ;

冯佳峰 .

中国专利 :CN221701715U ,2024-09-13

[3]

一种用于大直径锑化镓晶体生长覆盖剂除杂装置 [P].

郑红军 ;

袁韶阳 ;

于会永 ;

冯佳峰 .

中国专利 :CN221956234U ,2024-11-05

[4]

锑化镓晶体生长装置以及生长方法 [P].

狄聚青 ;

肖溢 ;

李镇宏 .

中国专利 :CN119710895A ,2025-03-28

[5]

一种用于大直径锑化镓晶体生长连续加料装置 [P].

郑红军 ;

袁韶阳 ;

于会永 ;

冯佳峰 .

中国专利 :CN117758353A ,2024-03-26

[6]

锑化镓晶体的生长方法 [P].

狄聚青 ;

李镇宏 .

中国专利 :CN117604611A ,2024-02-27

[7]

一种晶体生长溶液表面除杂装置及其除杂方法 [P].

郑红军 ;

王晗 ;

吴信杠 ;

陆敏 ;

胡健涛 .

中国专利 :CN118127636A ,2024-06-04

[8]

一种晶体生长溶液表面除杂装置及其除杂方法 [P].

郑红军 ;

王晗 ;

吴信杠 ;

陆敏 ;

胡健涛 .

中国专利 :CN118127636B ,2024-07-05

[9]

一种氧化镓晶体生长装置 [P].

王琤 ;

王芸霞 ;

刘进 .

中国专利 :CN222043410U ,2024-11-22

[10]

一种砷化镓晶体生长装置 [P].

于会永 ;

赵中阳 .

中国专利 :CN207159419U ,2018-03-30

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