一种砷化镓晶体生长装置

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN201721185895.6
申请日
2017-09-15
公开(公告)号
CN207159419U
公开(公告)日
2018-03-30
发明(设计)人
于会永 赵中阳
申请人
申请人地址
163000 黑龙江省大庆市萨尔图区高新区新发街1-2号301室
IPC主分类号
C30B2942
IPC分类号
C30B1100
代理机构
代理人
法律状态
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国省代码
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共 50 条
[1]
一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置 [P]. 
代晓波 .
中国专利 :CN210215617U ,2020-03-31
[2]
用于砷化镓晶体生长的恒压辅助系统 [P]. 
涂洁磊 ;
肖祥江 ;
刘祖明 ;
余首柘 ;
胡凯 ;
李雷 ;
吴佳豪 .
中国专利 :CN213570819U ,2021-06-29
[3]
一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置 [P]. 
郑婧鹏 .
中国专利 :CN204023003U ,2014-12-17
[4]
一种砷化镓晶体生长用续料装置 [P]. 
马争荣 ;
王建玲 .
中国专利 :CN213447379U ,2021-06-15
[5]
一种砷化镓晶体生长用石英坩埚 [P]. 
卜俊鹏 .
中国专利 :CN215517749U ,2022-01-14
[6]
一种砷化镓晶体生长用单晶炉 [P]. 
马争荣 ;
王建玲 .
中国专利 :CN213172685U ,2021-05-11
[7]
一种砷化镓晶体生长用石英坩埚 [P]. 
代晓波 .
中国专利 :CN210215622U ,2020-03-31
[8]
砷化镓晶体生长用热场装置 [P]. 
孙士臻 ;
贾宝申 ;
张洪宝 .
中国专利 :CN201158722Y ,2008-12-03
[9]
一种砷化镓晶体生长设备 [P]. 
马争荣 ;
王建玲 .
中国专利 :CN213172686U ,2021-05-11
[10]
一种砷化镓晶体生长用的加热机构 [P]. 
卜俊鹏 .
中国专利 :CN220520693U ,2024-02-23