一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201420238426.6

申请日：

2014-05-12

公开(公告)号：

CN204023003U

公开(公告)日：

2014-12-17

发明(设计)人：

郑婧鹏

申请人：

申请人地址：

453002 河南省新乡市建设东路16号绿营花园10号楼1楼东户

IPC主分类号：

C30B2942

IPC分类号：

C30B3500

代理机构：

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法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-12-17	授权	授权
2018-05-29	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 29/42 申请日:20140512 授权公告日:20141217 终止日期:20170512

共 50 条

[1]

一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置 [P].

代晓波 .

中国专利 :CN210215617U ,2020-03-31

[2]

一种砷化镓晶体生长装置 [P].

于会永 ;

赵中阳 .

中国专利 :CN207159419U ,2018-03-30

[3]

一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备 [P].

李百泉 ;

郑松龄 .

中国专利 :CN101063233A ,2007-10-31

[4]

一种砷化镓晶体生长设备 [P].

马争荣 ;

王建玲 .

中国专利 :CN213172686U ,2021-05-11

[5]

用于砷化镓晶体生长的恒压辅助系统 [P].

涂洁磊 ;

肖祥江 ;

刘祖明 ;

余首柘 ;

胡凯 ;

李雷 ;

吴佳豪 .

中国专利 :CN213570819U ,2021-06-29

[6]

一种砷化镓晶体生长用续料装置 [P].

马争荣 ;

王建玲 .

中国专利 :CN213447379U ,2021-06-15

[7]

一种砷化镓晶体生长用单晶炉 [P].

马争荣 ;

王建玲 .

中国专利 :CN213172685U ,2021-05-11

[8]

一种砷化镓晶体生长用石英坩埚 [P].

代晓波 .

中国专利 :CN210215622U ,2020-03-31

[9]

砷化镓晶体生长用热场装置 [P].

孙士臻 ;

贾宝申 ;

张洪宝 .

中国专利 :CN201158722Y ,2008-12-03

[10]

一种生长长尺寸半绝缘砷化镓单晶的装置 [P].

赖占平 ;

高瑞良 ;

齐德格 ;

周春锋 .

中国专利 :CN2666930Y ,2004-12-29

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