一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610017717.2

申请日：

2006-04-28

公开(公告)号：

CN101063233A

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

李百泉郑松龄

申请人：

申请人地址：

453000河南省新乡市南环路李村新村

IPC主分类号：

C30B2942

IPC分类号：

C30B2500

代理机构：

新乡市平原专利有限责任公司

代理人：

马既森

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-10-31	公开	公开
2011-04-27	授权	授权
2008-07-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-06-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101614379313 IPC(主分类):C30B 29/42 专利号:ZL2006100177172 申请日:20060428 授权公告日:20110427 终止日期:20140428
2012-07-25	专利实施许可合同备案的生效、变更及注销	专利实施许可合同备案的生效号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101411527411 IPC(主分类):C30B 29/42 专利申请号:2006100177172 专利号:ZL2006100177172 合同备案号:2012990000377 让与人:新乡市神舟晶体科技发展有限公司受让人:北京华进创威电子有限公司发明名称:一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备申请日:20060428 公开日:20071031 授权公告日:20110427 许可种类:独占许可备案日期:20120601

共 50 条

[1]

一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置 [P].

郑婧鹏 .

中国专利 :CN204023003U ,2014-12-17

[2]

一种水平半绝缘砷化镓晶体生长装置 [P].

代晓波 .

中国专利 :CN210215617U ,2020-03-31

[3]

一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置 [P].

雷仁贵 ;

于会永 ;

冯佳峰 ;

袁韶阳 ;

赵中阳 ;

张军军 ;

赵春锋 .

中国专利 :CN214529324U ,2021-10-29

[4]

生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 [P].

占荣 ;

惠峰 ;

赵有文 .

中国专利 :CN101603208A ,2009-12-16

[5]

一种半绝缘砷化镓掺碳装置 [P].

马争荣 ;

王建玲 .

中国专利 :CN213447384U ,2021-06-15

[6]

一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法 [P].

雷仁贵 ;

于会永 ;

冯佳峰 ;

袁韶阳 ;

赵中阳 ;

张军军 ;

赵春锋 .

中国专利 :CN113136616A ,2021-07-20

[7]

一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置 [P].

易德福 ;

守建川 ;

何军 ;

陈佳丽 .

中国专利 :CN207210579U ,2018-04-10

[8]

一种砷化镓晶体生长设备 [P].

马争荣 ;

王建玲 .

中国专利 :CN213172686U ,2021-05-11

[9]

一种生长长尺寸半绝缘砷化镓单晶的装置 [P].

赖占平 ;

高瑞良 ;

齐德格 ;

周春锋 .

中国专利 :CN2666930Y ,2004-12-29

[10]

半绝缘性砷化镓晶体基板 [P].

河本真弥 ;

木山诚 ;

石川幸雄 ;

桥尾克司 .

中国专利 :CN111032930A ,2020-04-17

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