一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201720950705.9

申请日：

2017-08-01

公开(公告)号：

CN207210579U

公开(公告)日：

2018-04-10

发明(设计)人：

易德福守建川何军陈佳丽

申请人：

申请人地址：

344000 江西省抚州市金柅大道198号创业园A7栋3楼

IPC主分类号：

C30B3108

IPC分类号：

C30B3110 C30B3112 C30B2942

代理机构：

苏州国诚专利代理有限公司 32293

代理人：

韩凤

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C30B 31/08 申请日:20170801 授权公告日:20180410 终止日期:20210801
2018-04-10	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置 [P].

易德福 ;

守建川 ;

何军 ;

陈佳丽 .

中国专利 :CN107268085A ,2017-10-20

[2]

一种半绝缘砷化镓掺碳装置 [P].

马争荣 ;

王建玲 .

中国专利 :CN213447384U ,2021-06-15

[3]

一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置 [P].

雷仁贵 ;

于会永 ;

冯佳峰 ;

袁韶阳 ;

赵中阳 ;

张军军 ;

赵春锋 .

中国专利 :CN214529324U ,2021-10-29

[4]

一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法 [P].

雷仁贵 ;

于会永 ;

冯佳峰 ;

袁韶阳 ;

赵中阳 ;

张军军 ;

赵春锋 .

中国专利 :CN113136616A ,2021-07-20

[5]

一种碳掺杂砷化镓多晶及其制备方法、制备碳掺杂砷化镓多晶的设备 [P].

王金灵 ;

罗小龙 ;

易明辉 .

中国专利 :CN118979306A ,2024-11-19

[6]

生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 [P].

占荣 ;

惠峰 ;

赵有文 .

中国专利 :CN101603208A ,2009-12-16

[7]

砷化镓多晶合成装置 [P].

刘留 ;

罗小龙 .

中国专利 :CN207525376U ,2018-06-22

[8]

一种砷化镓多晶的合成装置 [P].

蒙泽志 ;

彭海松 ;

彭春文 ;

代晓波 ;

吕利宁 ;

粟誉 .

中国专利 :CN217895798U ,2022-11-25

[9]

一种砷化镓多晶的合成装置 [P].

罗小龙 ;

周铁军 ;

易明辉 ;

曾国治 .

中国专利 :CN215887309U ,2022-02-22

[10]

一种砷化镓多晶合成装置 [P].

杨向东 ;

李玉平 ;

侯利伟 ;

李晓 .

中国专利 :CN206385278U ,2017-08-08

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