一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110330282.1

申请日：

2021-03-29

公开(公告)号：

CN113136616A

公开(公告)日：

2021-07-20

发明(设计)人：

雷仁贵于会永冯佳峰袁韶阳赵中阳张军军赵春锋

申请人：

申请人地址：

163000 黑龙江省大庆市高新区新泰路3号

IPC主分类号：

C30B1106

IPC分类号：

C30B2942 C23C1626

代理机构：

黑龙江省百盾知识产权代理事务所(普通合伙) 23218

代理人：

孙淑荣

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-07-20	公开	公开
2023-01-24	专利权质押合同登记的生效、变更及注销	专利权质押合同登记的生效 IPC(主分类):C30B 11/06 登记号:Y2023230000008 登记生效日:20230106 出质人:大庆溢泰半导体材料有限公司质权人:黑龙江省鑫正融资担保集团有限公司发明名称:一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置及掺碳方法申请日:20210329 授权公告日:20220208
2022-02-08	授权	授权
2021-08-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 11/06 申请日:20210329

共 50 条

[1]

一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置 [P].

雷仁贵 ;

于会永 ;

冯佳峰 ;

袁韶阳 ;

赵中阳 ;

张军军 ;

赵春锋 .

中国专利 :CN214529324U ,2021-10-29

[2]

生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法 [P].

占荣 ;

惠峰 ;

赵有文 .

中国专利 :CN101603208A ,2009-12-16

[3]

一种半绝缘砷化镓掺碳装置 [P].

马争荣 ;

王建玲 .

中国专利 :CN213447384U ,2021-06-15

[4]

一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备装置 [P].

易德福 ;

守建川 ;

何军 ;

陈佳丽 .

中国专利 :CN207210579U ,2018-04-10

[5]

一种半绝缘砷化镓多晶掺碳的制备方法及装置 [P].

易德福 ;

守建川 ;

何军 ;

陈佳丽 .

中国专利 :CN107268085A ,2017-10-20

[6]

一种半绝缘砷化镓单晶及其生长方法、装置 [P].

王金灵 ;

易明辉 ;

罗小龙 .

中国专利 :CN118407113A ,2024-07-30

[7]

一种大直径半绝缘砷化镓单晶的生长方法、装置 [P].

王金灵 ;

易明辉 ;

罗小龙 .

中国专利 :CN118407114A ,2024-07-30

[8]

一种水平掺铬半绝缘砷化镓晶体的生长设备 [P].

李百泉 ;

郑松龄 .

中国专利 :CN101063233A ,2007-10-31

[9]

一种砷化镓单晶的生长装置及生长方法 [P].

王金灵 ;

易明辉 ;

罗小龙 .

中国专利 :CN118407115A ,2024-07-30

[10]

一种生长长尺寸半绝缘砷化镓单晶的装置 [P].

赖占平 ;

高瑞良 ;

齐德格 ;

周春锋 .

中国专利 :CN2666930Y ,2004-12-29

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