一种大直径半绝缘砷化镓单晶的生长方法、装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410743571.8

申请日：

2024-06-11

公开(公告)号：

CN118407114A

公开(公告)日：

2024-07-30

发明(设计)人：

王金灵易明辉罗小龙

申请人：

广东先导微电子科技有限公司

申请人地址：

511517 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间

IPC主分类号：

C30B11/00

IPC分类号：

C30B11/06 C30B29/42

代理机构：

长沙辰齐知壹知识产权代理事务所(普通合伙) 43290

代理人：

李琼芳

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-16	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 11/00申请日:20240611
2024-07-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种砷化镓单晶的生长装置及生长方法 [P].

王金灵 ;

易明辉 ;

罗小龙 .

中国专利 :CN118407115A ,2024-07-30

[2]

一种半绝缘砷化镓单晶及其生长方法、装置 [P].

王金灵 ;

易明辉 ;

罗小龙 .

中国专利 :CN118407113A ,2024-07-30

[3]

砷化镓单晶的生长装置及生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

李超 ;

高鹏飞 ;

刘运连 .

中国专利 :CN108624948B ,2018-10-09

[4]

一种生长半绝缘砷化镓单晶的掺碳装置 [P].

雷仁贵 ;

于会永 ;

冯佳峰 ;

袁韶阳 ;

赵中阳 ;

张军军 ;

赵春锋 .

中国专利 :CN214529324U ,2021-10-29

[5]

砷化镓单晶的生长方法 [P].

周国清 ;

董永军 ;

徐军 ;

钱晓波 ;

李晓清 ;

苏凤莲 .

中国专利 :CN1249271C ,2005-08-24

[6]

砷化镓单晶的生长方法 [P].

雷仁贵 ;

易明辉 .

中国专利 :CN106319630A ,2017-01-11

[7]

一种砷化镓单晶生长装置及生长方法 [P].

王金灵 ;

周铁军 ;

严卫东 ;

马金峰 .

中国专利 :CN110359095B ,2019-10-22

[8]

一种砷化镓单晶生长装置及生长方法 [P].

王金灵 ;

周铁军 ;

严卫东 ;

马金峰 .

中国专利 :CN112359409A ,2021-02-12

[9]

一种砷化镓单晶的生长方法 [P].

房永征 ;

金敏 ;

徐家跃 ;

张娜 ;

王占勇 ;

张彦 ;

江国健 .

中国专利 :CN102677175A ,2012-09-19

[10]

中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长炉 [P].

李百泉 ;

吕云安 ;

陈颖超 ;

刘琴琴 ;

王利娜 .

中国专利 :CN201367495Y ,2009-12-23

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