砷化镓单晶的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200410093025.7

申请日：

2004-12-15

公开(公告)号：

CN1249271C

公开(公告)日：

2005-08-24

发明(设计)人：

周国清董永军徐军钱晓波李晓清苏凤莲

申请人：

申请人地址：

201800上海市800－211邮政信箱

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B2942

代理机构：

上海新天专利代理有限公司

代理人：

张泽纯

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-02-12	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101570138588 IPC(主分类):C30B 11/00 专利号:ZL2004100930257 申请日:20041215 授权公告日:20060405 终止日期:20121215
2005-10-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-08-24	公开	公开
2006-04-05	授权	授权

共 50 条

[1]

砷化镓单晶的生长方法 [P].

雷仁贵 ;

易明辉 .

中国专利 :CN106319630A ,2017-01-11

[2]

一种砷化镓单晶的生长方法 [P].

房永征 ;

金敏 ;

徐家跃 ;

张娜 ;

王占勇 ;

张彦 ;

江国健 .

中国专利 :CN102677175A ,2012-09-19

[3]

砷化镓单晶的生长装置及生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

李超 ;

高鹏飞 ;

刘运连 .

中国专利 :CN108624948B ,2018-10-09

[4]

砷化镓或锗单晶生长方法 [P].

卜俊鹏 ;

于会永 .

中国专利 :CN101724886A ,2010-06-09

[5]

一种砷化镓单晶生长装置及生长方法 [P].

王金灵 ;

周铁军 ;

严卫东 ;

马金峰 .

中国专利 :CN110359095B ,2019-10-22

[6]

一种砷化镓单晶生长装置及生长方法 [P].

王金灵 ;

周铁军 ;

严卫东 ;

马金峰 .

中国专利 :CN112359409A ,2021-02-12

[7]

多室砷化镓单晶生长炉及其生长方法 [P].

卢纪军 ;

包文东 ;

李苏滨 ;

惠峰 ;

李雪峰 ;

柳廷龙 ;

李武芳 ;

周一 ;

杨海超 ;

候振海 ;

朱大清 ;

董汝昆 ;

何永彬 ;

田东 ;

马会宇 ;

肖祥江 ;

杨小瑞 ;

祝永成 .

中国专利 :CN105133019A ,2015-12-09

[8]

一种砷化镓单晶的生长装置及生长方法 [P].

王金灵 ;

易明辉 ;

罗小龙 .

中国专利 :CN118407115A ,2024-07-30

[9]

生长砷化镓单晶的温控炉 [P].

姚荣华 ;

尹庆民 .

中国专利 :CN2885891Y ,2007-04-04

[10]

砷化镓单晶和砷化镓单晶基板 [P].

高山英俊 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN111902573B ,2024-03-08

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