生长砷化镓单晶的温控炉

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200620039407.6

申请日：

2006-02-09

公开(公告)号：

CN2885891Y

公开(公告)日：

2007-04-04

发明(设计)人：

姚荣华尹庆民

申请人：

申请人地址：

200233上海市桂林路303弄16号103室

IPC主分类号：

C30B2942

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

上海申汇专利代理有限公司

代理人：

周濂堂

法律状态：

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-04-08	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2007-04-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种生长砷化镓单晶的温控炉 [P].

代晓波 .

中国专利 :CN210215611U ,2020-03-31

[2]

砷化镓单晶的生长方法 [P].

周国清 ;

董永军 ;

徐军 ;

钱晓波 ;

李晓清 ;

苏凤莲 .

中国专利 :CN1249271C ,2005-08-24

[3]

砷化镓单晶的生长方法 [P].

雷仁贵 ;

易明辉 .

中国专利 :CN106319630A ,2017-01-11

[4]

砷化镓单晶和砷化镓单晶基板 [P].

高山英俊 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN111902573B ,2024-03-08

[5]

砷化镓单晶和砷化镓单晶基板 [P].

高山英俊 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN111902573A ,2020-11-06

[6]

砷化镓单晶的生长装置及生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

李超 ;

高鹏飞 ;

刘运连 .

中国专利 :CN108624948B ,2018-10-09

[7]

砷化镓单晶衬底及制造砷化镓单晶的方法 [P].

羽木良明 ;

中井龙资 .

中国专利 :CN101451265A ,2009-06-10

[8]

中压冷壁半绝缘砷化镓单晶生长炉 [P].

李百泉 ;

吕云安 ;

陈颖超 ;

刘琴琴 ;

王利娜 .

中国专利 :CN201367495Y ,2009-12-23

[9]

砷化镓单晶生长装置及制备方法 [P].

卜俊鹏 ;

邵广育 ;

鞠少功 ;

吴岳龙 ;

卜英瀚 .

中国专利 :CN118207628A ,2024-06-18

[10]

砷化镓单晶生长装置及制备方法 [P].

卜俊鹏 ;

邵广育 ;

鞠少功 ;

吴岳龙 ;

卜英瀚 .

中国专利 :CN118207628B ,2024-07-26

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