砷化镓单晶衬底及制造砷化镓单晶的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810169408.6

申请日：

1999-08-18

公开(公告)号：

CN101451265A

公开(公告)日：

2009-06-10

发明(设计)人：

羽木良明中井龙资

申请人：

申请人地址：

日本大阪

IPC主分类号：

C30B1100

IPC分类号：

C30B2942 H01L2300 H01L2120

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-06-10	公开	公开
2019-09-10	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):C30B 11/00 申请日:19990818 授权公告日:20130327
2013-03-27	授权	授权
2009-08-05	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法 [P].

上松康二 ;

佐藤一成 ;

中西文毅 .

日本专利 :CN115087767B ,2024-02-20

[2]

砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法 [P].

上松康二 ;

佐藤一成 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN115087767A ,2022-09-20

[3]

砷化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片 [P].

羽木良明 ;

中井龙资 .

中国专利 :CN1249368B ,2000-04-05

[4]

砷化镓单晶和砷化镓单晶基板 [P].

高山英俊 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN111902573B ,2024-03-08

[5]

砷化镓单晶和砷化镓单晶基板 [P].

高山英俊 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN111902573A ,2020-11-06

[6]

砷化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

三桥史典 ;

足立真宽 ;

斋藤吉广 ;

中山阳次郎 .

日本专利 :CN120883325A ,2025-10-31

[7]

砷化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

三桥史典 ;

足立真宽 ;

斋藤吉广 ;

中山阳次郎 .

日本专利 :CN120677555A ,2025-09-19

[8]

砷化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

宫崎雄一郎 ;

青山浩一郎 ;

森分达也 ;

桥尾克司 .

日本专利 :CN120187901A ,2025-06-20

[9]

砷化镓单晶基板 [P].

福永宽 ;

森下昌纪 ;

森分达也 ;

桥尾克司 .

中国专利 :CN113423876A ,2021-09-21

[10]

砷化镓单晶制备设备 [P].

袁长胜 .

中国专利 :CN201236221Y ,2009-05-13

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