砷化镓单晶衬底及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202380095227.6

申请日：

2023-04-17

公开(公告)号：

CN120883325A

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

三桥史典足立真宽斋藤吉广中山阳次郎

申请人：

住友电气工业株式会社

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21/304

IPC分类号：

C30B29/42 H01L21/205

代理机构：

北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413

代理人：

杨卫萍;袁波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	公开	公开
2025-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/304申请日:20230417

共 50 条

[1]

砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法 [P].

上松康二 ;

佐藤一成 ;

中西文毅 .

日本专利 :CN115087767B ,2024-02-20

[2]

砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法 [P].

上松康二 ;

佐藤一成 ;

中西文毅 .

中国专利 :CN115087767A ,2022-09-20

[3]

砷化镓单晶基板及其制造方法 [P].

木山诚 ;

斋藤吉广 ;

星名丰 ;

中山阳次郎 .

日本专利 :CN118679284A ,2024-09-20

[4]

砷化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

三桥史典 ;

足立真宽 ;

斋藤吉广 ;

中山阳次郎 .

日本专利 :CN120677555A ,2025-09-19

[5]

砷化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

宫崎雄一郎 ;

青山浩一郎 ;

森分达也 ;

桥尾克司 .

日本专利 :CN120187901A ,2025-06-20

[6]

砷化镓单晶衬底及制造砷化镓单晶的方法 [P].

羽木良明 ;

中井龙资 .

中国专利 :CN101451265A ,2009-06-10

[7]

砷化镓单晶基板及其制造方法 [P].

三桥史典 ;

足立真宽 ;

斋藤吉广 ;

中山阳次郎 .

日本专利 :CN120188263A ,2025-06-20

[8]

用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途 [P].

W·弗利格尔 ;

C·克莱门特 ;

C·维劳尔 ;

M·舍费尔奇甘 ;

A·克莱茵韦希特 ;

S·艾希勒 ;

B·韦纳特 ;

M·梅德尔 .

中国专利 :CN109801836A ,2019-05-24

[9]

用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途 [P].

W·弗利格尔 ;

C·克莱门特 ;

C·维劳尔 ;

M·舍费尔奇甘 ;

A·克莱茵韦希特 ;

S·艾希勒 ;

B·韦纳特 ;

M·梅德尔 .

中国专利 :CN115101401A ,2022-09-23

[10]

用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途 [P].

W·弗利格尔 ;

C·克莱门特 ;

C·维劳尔 ;

M·舍费尔奇甘 ;

A·克莱茵韦希特 ;

S·艾希勒 ;

B·韦纳特 ;

M·梅德尔 .

中国专利 :CN104969328A ,2015-10-07

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