砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法

被引：0

申请号：

CN202080096470.6

申请日：

2020-09-01

公开(公告)号：

CN115087767A

公开(公告)日：

2022-09-20

发明(设计)人：

上松康二佐藤一成中西文毅

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2942

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

杨海荣;曲盛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	公开	公开

共 50 条

[1]

砷化镓单晶衬底和砷化镓单晶衬底的制造方法 [P].

上松康二 ;

佐藤一成 ;

中西文毅 .

日本专利 :CN115087767B ,2024-02-20

[2]

砷化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

三桥史典 ;

足立真宽 ;

斋藤吉广 ;

中山阳次郎 .

日本专利 :CN120883325A ,2025-10-31

[3]

砷化镓单晶衬底及制造砷化镓单晶的方法 [P].

羽木良明 ;

中井龙资 .

中国专利 :CN101451265A ,2009-06-10

[4]

砷化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

三桥史典 ;

足立真宽 ;

斋藤吉广 ;

中山阳次郎 .

日本专利 :CN120677555A ,2025-09-19

[5]

砷化镓单晶衬底及其制造方法 [P].

宫崎雄一郎 ;

青山浩一郎 ;

森分达也 ;

桥尾克司 .

日本专利 :CN120187901A ,2025-06-20

[6]

砷化镓单晶基板及其制造方法 [P].

木山诚 ;

斋藤吉广 ;

星名丰 ;

中山阳次郎 .

日本专利 :CN118679284A ,2024-09-20

[7]

砷化镓单晶和砷化镓单晶基板 [P].

高山英俊 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN111902573B ,2024-03-08

[8]

砷化镓单晶和砷化镓单晶基板 [P].

高山英俊 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN111902573A ,2020-11-06

[9]

砷化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片 [P].

羽木良明 ;

中井龙资 .

中国专利 :CN1249368B ,2000-04-05

[10]

用于制备砷化镓衬底的方法、砷化镓衬底及其用途 [P].

W·弗利格尔 ;

C·克莱门特 ;

C·维劳尔 ;

M·舍费尔奇甘 ;

A·克莱茵韦希特 ;

S·艾希勒 ;

B·韦纳特 ;

M·梅德尔 .

中国专利 :CN109801836A ,2019-05-24

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