砷化镓单晶基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980091920.X

申请日：

2019-07-10

公开(公告)号：

CN113423876A

公开(公告)日：

2021-09-21

发明(设计)人：

福永宽森下昌纪森分达也桥尾克司

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2942

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

杨海荣;曲盛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/42 申请日:20190710
2021-09-21	公开	公开

共 50 条

[1]

砷化镓单晶和砷化镓单晶基板 [P].

高山英俊 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN111902573B ,2024-03-08

[2]

砷化镓单晶和砷化镓单晶基板 [P].

高山英俊 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN111902573A ,2020-11-06

[3]

砷化镓单晶基板及其制造方法 [P].

三桥史典 ;

足立真宽 ;

斋藤吉广 ;

中山阳次郎 .

日本专利 :CN120188263A ,2025-06-20

[4]

砷化镓单晶基板及其制造方法 [P].

木山诚 ;

斋藤吉广 ;

星名丰 ;

中山阳次郎 .

日本专利 :CN118679284A ,2024-09-20

[5]

半绝缘性砷化镓单晶基板、带外延层基板以及半绝缘性砷化镓单晶的制造方法 [P].

青山浩一郎 ;

桥尾克司 ;

森分达也 ;

森下昌纪 .

日本专利 :CN120569522A ,2025-08-29

[6]

砷化镓单晶衬底及制造砷化镓单晶的方法 [P].

羽木良明 ;

中井龙资 .

中国专利 :CN101451265A ,2009-06-10

[7]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN110325672A ,2019-10-11

[8]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN113235162A ,2021-08-10

[9]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN113215662A ,2021-08-06

[10]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN113235162B ,2024-06-04

← 1 2 3 4 5 →