砷化镓单晶的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510389316.9

申请日：

2015-07-02

公开(公告)号：

CN106319630A

公开(公告)日：

2017-01-11

发明(设计)人：

雷仁贵易明辉

申请人：

申请人地址：

511500 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区

IPC主分类号：

C30B2942

IPC分类号：

C30B1100

代理机构：

北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387

代理人：

张向琨

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):C30B 29/42 登记生效日:20211209 变更事项:专利权人变更前权利人:广东先导先进材料股份有限公司变更后权利人:广东先导微电子科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:511500 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号B区变更后权利人:511517 广东省清远市高新区创兴三路16号A车间
2017-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101702025748 IPC(主分类):C30B 29/42 专利申请号:2015103893169 申请日:20150702
2018-07-06	授权	授权
2017-01-11	公开	公开

共 50 条

[1]

砷化镓或锗单晶生长方法 [P].

卜俊鹏 ;

于会永 .

中国专利 :CN101724886A ,2010-06-09

[2]

砷化镓单晶的生长方法 [P].

周国清 ;

董永军 ;

徐军 ;

钱晓波 ;

李晓清 ;

苏凤莲 .

中国专利 :CN1249271C ,2005-08-24

[3]

一种砷化镓单晶生长装置及生长方法 [P].

王金灵 ;

周铁军 ;

严卫东 ;

马金峰 .

中国专利 :CN110359095B ,2019-10-22

[4]

砷化镓单晶的生长装置及生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

李超 ;

高鹏飞 ;

刘运连 .

中国专利 :CN108624948B ,2018-10-09

[5]

一种砷化镓单晶生长装置及生长方法 [P].

王金灵 ;

周铁军 ;

严卫东 ;

马金峰 .

中国专利 :CN112359409A ,2021-02-12

[6]

一种砷化镓单晶的生长装置及生长方法 [P].

王金灵 ;

易明辉 ;

罗小龙 .

中国专利 :CN118407115A ,2024-07-30

[7]

一种砷化镓单晶的生长方法 [P].

房永征 ;

金敏 ;

徐家跃 ;

张娜 ;

王占勇 ;

张彦 ;

江国健 .

中国专利 :CN102677175A ,2012-09-19

[8]

砷化铟单晶的生长方法 [P].

李康 ;

苏湛 ;

狄聚青 .

中国专利 :CN119753840A ,2025-04-04

[9]

一种提高砷化镓单晶利用率的生长方法 [P].

徐家跃 ;

胡同兵 ;

金敏 ;

何庆波 .

中国专利 :CN101348939A ,2009-01-21

[10]

生长砷化镓单晶的温控炉 [P].

姚荣华 ;

尹庆民 .

中国专利 :CN2885891Y ,2007-04-04

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