半绝缘性砷化镓晶体基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780094136.5

申请日：

2017-09-21

公开(公告)号：

CN111032930A

公开(公告)日：

2020-04-17

发明(设计)人：

河本真弥木山诚石川幸雄桥尾克司

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

C30B2942

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

王海川;牛嵩林

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-05-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/42 申请日:20170921
2020-04-17	公开	公开

共 50 条

[1]

半绝缘性砷化镓晶体基板 [P].

河本真弥 ;

木山诚 ;

石川幸雄 ;

桥尾克司 .

日本专利 :CN111032930B ,2024-01-02

[2]

半绝缘性砷化镓晶体基板 [P].

河本真弥 ;

木山诚 ;

石川幸雄 ;

桥尾克司 .

日本专利 :CN113584593B ,2024-01-02

[3]

半绝缘性砷化镓晶体基板 [P].

河本真弥 ;

木山诚 ;

石川幸雄 ;

桥尾克司 .

中国专利 :CN113584593A ,2021-11-02

[4]

半绝缘性砷化镓单晶基板、带外延层基板以及半绝缘性砷化镓单晶的制造方法 [P].

青山浩一郎 ;

桥尾克司 ;

森分达也 ;

森下昌纪 .

日本专利 :CN120569522A ,2025-08-29

[5]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN110325672A ,2019-10-11

[6]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN113235162A ,2021-08-10

[7]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

中国专利 :CN113215662A ,2021-08-06

[8]

砷化镓晶体和砷化镓晶体基板 [P].

福永宽 ;

秋田胜史 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN113235162B ,2024-06-04

[9]

砷化镓晶体基板 [P].

森下昌纪 ;

高山英俊 ;

樋口恭明 ;

羽木良明 .

中国专利 :CN111406130B ,2020-07-10

[10]

砷化镓单晶和砷化镓单晶基板 [P].

高山英俊 ;

石川幸雄 .

日本专利 :CN111902573B ,2024-03-08

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