锑化铟晶体的生长方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311725831.0
申请日
2023-12-14
公开(公告)号
CN117587496A
公开(公告)日
2024-02-23
发明(设计)人
狄聚青 李镇宏
申请人
安徽光智科技有限公司
申请人地址
239004 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号
IPC主分类号
C30B15/00
IPC分类号
C30B27/02 C30B29/40
代理机构
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387
代理人
张向琨
法律状态
专利申请权、专利权的转移
国省代码
安徽省 安庆市
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共 50 条
[1]
锑化铟晶体的生长方法 [P]. 
潘磊 ;
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN118087019A ,2024-05-28
[2]
锑化铟晶体的生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN118880434A ,2024-11-01
[3]
锑化铟晶体生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN118880458A ,2024-11-01
[4]
锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉 [P]. 
程鹏 ;
程波 ;
陈元瑞 .
中国专利 :CN114318510A ,2022-04-12
[5]
锑化铟晶体生长设备及生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
肖溢 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN119685921A ,2025-03-25
[6]
用于锑化铟晶体生长的石英坩埚组件以及生长炉 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN222411985U ,2025-01-28
[7]
籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN118814259A ,2024-10-22
[8]
砷化铟单晶的生长方法 [P]. 
李康 ;
苏湛 ;
狄聚青 .
中国专利 :CN119753840A ,2025-04-04
[9]
碲化镉晶体的生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
李康 ;
苏湛 .
中国专利 :CN114032609A ,2022-02-11
[10]
碲化镉晶体的生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
李康 ;
苏湛 .
中国专利 :CN114059170A ,2022-02-18