用于锑化铟晶体生长的石英坩埚组件以及生长炉

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202323421490.6
申请日
2023-12-14
公开(公告)号
CN222411985U
公开(公告)日
2025-01-28
发明(设计)人
狄聚青 李镇宏
申请人
广东晶智光电科技有限公司
申请人地址
511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9号清远先导材料有限公司C车间一层(自编001号)
IPC主分类号
C30B15/10
IPC分类号
C30B15/00 C30B27/00 C30B29/40
代理机构
北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387
代理人
张向琨
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
锑化铟晶体生长方法及晶体生长炉 [P]. 
程鹏 ;
程波 ;
陈元瑞 .
中国专利 :CN114318510A ,2022-04-12
[2]
籽晶组件以及锑化铟晶体生长的方法 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN118814259A ,2024-10-22
[3]
晶体生长坩埚及晶体生长炉 [P]. 
张彬镜 ;
陈泽邦 ;
蔡杰毅 ;
孔舒燕 ;
赵衡煜 ;
郑燕青 .
中国专利 :CN222024552U ,2024-11-19
[4]
锑化铟晶体的生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN117587496A ,2024-02-23
[5]
锑化铟晶体生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN118880458A ,2024-11-01
[6]
锑化铟晶体生长设备及生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
肖溢 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN119685921A ,2025-03-25
[7]
锑化铟晶体的生长方法 [P]. 
潘磊 ;
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN118087019A ,2024-05-28
[8]
晶体生长的石英坩埚镀膜装置 [P]. 
朱旦 ;
陈治华 ;
黄永辉 ;
陈应江 .
中国专利 :CN220468130U ,2024-02-09
[9]
锑化铟晶体的生长方法 [P]. 
狄聚青 ;
李镇宏 .
中国专利 :CN118880434A ,2024-11-01
[10]
坩埚组件和具有其的晶体生长炉 [P]. 
陈俊宏 .
中国专利 :CN217839199U ,2022-11-18