锗单晶的生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711429251.1

申请日：

2017-12-26

公开(公告)号：

CN108277531A

公开(公告)日：

2018-07-13

发明(设计)人：

狄聚青朱刘尹士平胡智向刘运连

申请人：

申请人地址：

511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9B

IPC主分类号：

C30B2908

IPC分类号：

C30B1500

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-13	公开	公开
2020-05-22	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 29/08 登记生效日:20200506 变更事项:申请人变更前权利人:广东先导先进材料股份有限公司变更后权利人:安徽光智科技有限公司变更事项:地址变更前权利人:511517 广东省清远市高新区百嘉工业园27-9B 变更后权利人:239004 安徽省滁州市琅琊区琅琊经济开发区内永阳路以东、南京路以西、安庆路以北、六安路以南
2018-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/08 申请日:20171226
2021-03-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 29/08 申请公布日:20180713

共 50 条

[1]

锗单晶的生长方法 [P].

潘磊 ;

尹士平 ;

郭晨光 ;

狄聚青 ;

申甲 ;

陈杰 ;

黄治成 .

中国专利 :CN118360657A ,2024-07-19

[2]

P型锗单晶生长方法 [P].

顾小英 ;

赵青松 ;

狄聚青 ;

罗旭 .

中国专利 :CN120210956A ,2025-06-27

[3]

镓重掺杂低位错锗单晶的生长方法 [P].

吴绍华 ;

王侃 ;

子光平 ;

孙君亚 ;

李盈昱 ;

韩帅明 ;

李林涛 ;

陈骥 ;

李茂忠 ;

姜杰 .

中国专利 :CN103938270A ,2014-07-23

[4]

砷化镓或锗单晶生长方法 [P].

卜俊鹏 ;

于会永 .

中国专利 :CN101724886A ,2010-06-09

[5]

可控双球面锗单晶生长方法及模具 [P].

吴雅颂 ;

李昆 ;

任敏 .

中国专利 :CN1068156A ,1993-01-20

[6]

一种大尺寸锗单晶生长方法 [P].

黄治成 ;

熊聪 ;

郭晨光 ;

尹士平 ;

黄雪丽 .

中国专利 :CN113789567B ,2021-12-14

[7]

锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法 [P].

董汝昆 ;

李武芳 ;

祝永成 ;

何永彬 ;

高云浩 ;

金之生 ;

杨小瑞 ;

权忠朝 .

中国专利 :CN105951170A ,2016-09-21

[8]

一种硒锗汞钡单晶的生长方法 [P].

李春霄 ;

姚吉勇 ;

刘强 ;

王桂丽 .

中国专利 :CN120193324A ,2025-06-24

[9]

锗单晶生长炉 [P].

董汝昆 ;

李武芳 ;

祝永成 ;

何永彬 ;

高云浩 ;

金之生 ;

杨小瑞 ;

权忠朝 .

中国专利 :CN205774917U ,2016-12-07

[10]

单晶氮化铟的生长方法 [P].

郭建廷 ;

李方红 ;

常嘉兴 .

中国专利 :CN108977887A ,2018-12-11

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