P型锗单晶生长方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510272925.X

申请日：

2025-03-10

公开(公告)号：

CN120210956A

公开(公告)日：

2025-06-27

发明(设计)人：

顾小英赵青松狄聚青罗旭

申请人：

安徽光智科技有限公司

申请人地址：

239004 安徽省滁州市琅琊经济开发区南京路100号

IPC主分类号：

C30B29/08

IPC分类号：

C30B15/00

代理机构：

北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387

代理人：

张向琨

法律状态：

公开

国省代码：

安徽省安庆市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-27	公开	公开
2025-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/08申请日:20250310

共 50 条

[1]

锗单晶的生长方法 [P].

潘磊 ;

尹士平 ;

郭晨光 ;

狄聚青 ;

申甲 ;

陈杰 ;

黄治成 .

中国专利 :CN118360657A ,2024-07-19

[2]

锗单晶的生长方法 [P].

狄聚青 ;

朱刘 ;

尹士平 ;

胡智向 ;

刘运连 .

中国专利 :CN108277531A ,2018-07-13

[3]

砷化镓或锗单晶生长方法 [P].

卜俊鹏 ;

于会永 .

中国专利 :CN101724886A ,2010-06-09

[4]

镓重掺杂低位错锗单晶的生长方法 [P].

吴绍华 ;

王侃 ;

子光平 ;

孙君亚 ;

李盈昱 ;

韩帅明 ;

李林涛 ;

陈骥 ;

李茂忠 ;

姜杰 .

中国专利 :CN103938270A ,2014-07-23

[5]

可控双球面锗单晶生长方法及模具 [P].

吴雅颂 ;

李昆 ;

任敏 .

中国专利 :CN1068156A ,1993-01-20

[6]

一种大尺寸锗单晶生长方法 [P].

黄治成 ;

熊聪 ;

郭晨光 ;

尹士平 ;

黄雪丽 .

中国专利 :CN113789567B ,2021-12-14

[7]

锗单晶生长炉 [P].

董汝昆 ;

李武芳 ;

祝永成 ;

何永彬 ;

高云浩 ;

金之生 ;

杨小瑞 ;

权忠朝 .

中国专利 :CN205774917U ,2016-12-07

[8]

锗单晶生长炉及基于生长炉的锗单晶生长温度控制方法 [P].

董汝昆 ;

李武芳 ;

祝永成 ;

何永彬 ;

高云浩 ;

金之生 ;

杨小瑞 ;

权忠朝 .

中国专利 :CN105951170A ,2016-09-21

[9]

一种硒锗汞钡单晶的生长方法 [P].

李春霄 ;

姚吉勇 ;

刘强 ;

王桂丽 .

中国专利 :CN120193324A ,2025-06-24

[10]

锑化铝单晶生长方法 [P].

范江涛 ;

卢伟 ;

沈桂英 ;

赵有文 ;

刘刚 ;

李晨慧 ;

杨文文 ;

吕鑫雨 ;

摆易寒 .

中国专利 :CN120925063A ,2025-11-11

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