在ZnO纳米线表面低温外延生长高质量GaN薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110025235.6

申请日：

2021-01-08

公开(公告)号：

CN112853319A

公开(公告)日：

2021-05-28

发明(设计)人：

马宏平侯欣蓝张园览吴帆正树

申请人：

申请人地址：

200433 上海市杨浦区邯郸路220号

IPC主分类号：

C23C16455

IPC分类号：

C23C1634 C23C1644

代理机构：

上海正旦专利代理有限公司 31200

代理人：

陆飞;陆尤

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C 16/455 申请公布日:20210528
2021-05-28	公开	公开
2021-06-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/455 申请日:20210108

共 50 条

[1]

横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P].

张荣 ;

修向前 ;

顾书林 ;

卢佃清 ;

毕朝霞 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

韩平 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1174470C ,2003-01-08

[2]

生长高质量氮化铟单晶外延膜的方法 [P].

王莉莉 ;

张书明 ;

杨辉 ;

梁骏吾 .

中国专利 :CN101525740B ,2009-09-09

[3]

一种SiC衬底上生长高质量GaN外延膜的方法 [P].

白俊春 ;

周小伟 ;

景文甲 ;

李培咸 ;

平加峰 .

中国专利 :CN109524293B ,2019-03-26

[4]

高质量单晶厚膜材料的异质外延生长方法 [P].

杜彦浩 ;

吴洁君 ;

张国义 ;

于彤军 ;

杨志坚 ;

康香宁 ;

贾传宇 ;

孙永健 ;

罗伟科 ;

刘鹏 .

中国专利 :CN101962803A ,2011-02-02

[5]

用等离子体辅助分子束外延以准范德华外延生长高质量ZnO单晶薄膜的方法 [P].

叶志镇 ;

王宁 ;

潘新花 ;

何海平 ;

黄靖云 .

中国专利 :CN111334856B ,2020-06-26

[6]

一种在Si衬底上外延生长的高质量AlN薄膜及其制备方法 [P].

李国强 .

中国专利 :CN106128937B ,2016-11-16

[7]

PA-MBE同质外延高质量GaN单晶薄膜的制备方法 [P].

刘斌 ;

吴耀政 ;

张荣 ;

李振华 ;

陶涛 ;

谢自力 ;

修向前 ;

陈鹏 ;

陈敦军 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN108330536B ,2018-07-27

[8]

无掩膜横向外延生长高质量氮化镓 [P].

修向前 ;

张荣 ;

陈琳 ;

谢自力 ;

顾书林 ;

施毅 ;

韩平 ;

沈波 ;

江若琏 ;

朱顺明 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1300387C ,2005-06-29

[9]

一种基于Sn催化气相生长高质量GaAs纳米线的方法 [P].

杨再兴 ;

孙嘉敏 ;

高兆峰 .

中国专利 :CN112877779B ,2021-06-01

[10]

一种在异质衬底上生长高质量氮化铝薄膜的方法 [P].

魏同波 ;

常洪亮 ;

闫建昌 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN114284397A ,2022-04-05

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