一种SiC衬底上生长高质量GaN外延膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811378448.1

申请日：

2018-11-19

公开(公告)号：

CN109524293B

公开(公告)日：

2019-03-26

发明(设计)人：

白俊春周小伟景文甲李培咸平加峰

申请人：

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州市高新技术产业开发区太湖大道西侧、富美路北侧江苏晶曌半导体有限公司

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L310304

代理机构：

北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427

代理人：

徐思波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20181119
2021-10-19	授权	授权
2022-01-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20211231 变更事项:专利权人变更前权利人:江苏晶曌半导体有限公司变更后权利人:江苏芯港半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:221300 江苏省徐州市邳州市高新技术产业开发区太湖大道西侧、富美路北侧江苏晶曌半导体有限公司变更后权利人:221200 江苏省徐州市睢宁县空港经济开发区苏杭路北、观音大道西
2019-03-26	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SiC衬底生长GaN外延膜的方法 [P].

白俊春 ;

周小伟 ;

景文甲 ;

李培咸 ;

平加峰 .

中国专利 :CN109545661A ,2019-03-29

[2]

一种在硅衬底上生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P].

白俊春 ;

周小伟 ;

景文甲 ;

李培咸 ;

平加峰 .

中国专利 :CN109524292A ,2019-03-26

[3]

一种高质量GaN外延片 [P].

张洁 ;

张伯林 .

中国专利 :CN218498088U ,2023-02-17

[4]

在ZnO纳米线表面低温外延生长高质量GaN薄膜的方法 [P].

马宏平 ;

侯欣蓝 ;

张园览 ;

吴帆正树 .

中国专利 :CN112853319A ,2021-05-28

[5]

无掩膜横向外延生长高质量氮化镓 [P].

修向前 ;

张荣 ;

陈琳 ;

谢自力 ;

顾书林 ;

施毅 ;

韩平 ;

沈波 ;

江若琏 ;

朱顺明 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1300387C ,2005-06-29

[6]

横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法 [P].

张荣 ;

修向前 ;

顾书林 ;

卢佃清 ;

毕朝霞 ;

沈波 ;

江若琏 ;

施毅 ;

朱顺明 ;

韩平 ;

胡立群 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN1174470C ,2003-01-08

[7]

一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法 [P].

徐小科 ;

李效民 ;

高相东 .

中国专利 :CN108242395B ,2018-07-03

[8]

一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长方法 [P].

刘扬 ;

张佳琳 ;

杨帆 ;

何亮 .

中国专利 :CN106206297A ,2016-12-07

[9]

一种无间断生长高质量InGaN/GaN多量子阱的方法 [P].

李盼盼 ;

李鸿渐 ;

张逸韵 ;

李志聪 ;

梁萌 ;

李璟 ;

王国宏 .

中国专利 :CN102637787B ,2012-08-15

[10]

一种选区外延高质量的AlGaN/GaN生长结构 [P].

刘扬 ;

张佳琳 ;

杨帆 ;

何亮 .

中国专利 :CN206301802U ,2017-07-04

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