一种SiC衬底生长GaN外延膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811377030.9

申请日：

2018-11-19

公开(公告)号：

CN109545661A

公开(公告)日：

2019-03-29

发明(设计)人：

白俊春周小伟景文甲李培咸平加峰

申请人：

申请人地址：

221300 江苏省徐州市邳州市高新技术产业开发区太湖大道西侧、富美路北侧江苏晶曌半导体有限公司

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L3300 C30B2518 C30B2940

代理机构：

北京科家知识产权代理事务所(普通合伙) 11427

代理人：

徐思波

法律状态：

发明专利申请公布后的撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-11-25	发明专利申请公布后的撤回	发明专利申请公布后的撤回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20190329
2019-04-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20181119
2019-03-29	公开	公开

共 50 条

[1]

一种SiC衬底上生长高质量GaN外延膜的方法 [P].

白俊春 ;

周小伟 ;

景文甲 ;

李培咸 ;

平加峰 .

中国专利 :CN109524293B ,2019-03-26

[2]

用于半绝缘GaN外延层生长的SiC衬底表面处理方法 [P].

王科 ;

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN114758948A ,2022-07-15

[3]

一种用于GaN外延生长的衬底制备方法 [P].

张昊翔 ;

金豫浙 ;

陈立人 ;

李东昇 ;

江忠永 .

中国专利 :CN102157638A ,2011-08-17

[4]

斜切SiC衬底上生长GaN外延层的方法及半导体器件 [P].

卢双赞 ;

潘嘉杰 ;

李思超 ;

向诗力 ;

贾汉祥 ;

董浩 ;

刘力 ;

柳俊 .

中国专利 :CN121218660A ,2025-12-26

[5]

具有SiC外延膜的SiC衬底 [P].

M·J·罗伯达 ;

捷·张 .

中国专利 :CN104718601A ,2015-06-17

[6]

一种生长GaN的SiC衬底的剥离方法 [P].

张景文 ;

陈旭东 ;

翟文博 ;

王进军 ;

卜忍安 ;

王宏兴 ;

侯洵 .

中国专利 :CN107326435A ,2017-11-07

[7]

一种在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法及器件 [P].

王晓亮 ;

李百泉 ;

冯春 ;

肖红领 ;

姜丽娟 ;

李天运 ;

邱爱芹 ;

介芳 .

中国专利 :CN110739207A ,2020-01-31

[8]

一种在GaN衬底上同质外延生长的方法 [P].

杨志坚 ;

秦志新 ;

于彤军 ;

吴洁君 ;

胡晓东 ;

康香宁 ;

王新强 ;

许福军 ;

沈波 ;

张国义 .

中国专利 :CN104347356A ,2015-02-11

[9]

一种Si衬底GaN外延薄膜的生长方法 [P].

潘拴 ;

陈芝向 ;

张建立 ;

郑畅达 ;

王小兰 ;

高江东 ;

李丹 ;

杨小霞 .

中国专利 :CN114823284A ,2022-07-29

[10]

一种SiC衬底双面生长SiC外延层的方法及应用 [P].

林云昊 ;

蔡文必 ;

毛张文 ;

郑元宇 ;

张恺玄 .

中国专利 :CN112038213B ,2020-12-04

← 1 2 3 4 5 →