具有SiC外延膜的SiC衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480002722.9

申请日：

2014-03-15

公开(公告)号：

CN104718601A

公开(公告)日：

2015-06-17

发明(设计)人：

M·J·罗伯达捷·张

申请人：

申请人地址：

美国密歇根州

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

C30B2510 C30B2520 C30B2936

代理机构：

北京安信方达知识产权代理有限公司 11262

代理人：

苏蕾;郑霞

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-04-26	授权	授权
2015-06-17	公开	公开
2020-01-14	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 登记生效日:20191226 变更事项:专利权人变更前权利人:美国陶氏有机硅公司变更后权利人:DDP特种电子材料美国第9有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国密歇根州变更后权利人:美国特拉华州
2020-06-19	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/20 登记生效日:20200602 变更事项:专利权人变更前权利人:DDP特种电子材料美国第9有限公司变更后权利人:SK硅德荣有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国特拉华州变更后权利人:美国特拉华州
2015-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101616805977 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2014800027229 申请日:20140315
2018-05-18	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01L 21/20 变更事项:专利权人变更前:道康宁公司变更后:美国陶氏有机硅公司变更事项:地址变更前:美国密歇根州变更后:美国密歇根州

共 50 条

[1]

SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法 [P].

金子忠昭 .

中国专利 :CN114375351A ,2022-04-19

[2]

SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法 [P].

金子忠昭 .

日本专利 :CN114375351B ,2024-04-26

[3]

外延SiC单晶衬底及外延SiC单晶衬底的制造方法 [P].

百瀬賢治 ;

小田原道哉 ;

松沢圭一 ;

奥村元 ;

児島一聡 ;

石田夕起 ;

土田秀一 ;

鎌田功穗 .

中国专利 :CN101802273B ,2010-08-11

[4]

用于生产改进的SiC衬底和SiC外延层的方法 [P].

Y·C·阿朗戈 ;

G·阿尔菲里 ;

G·罗马诺 .

:CN119725074A ,2025-03-28

[5]

SiC外延衬底的制造方法及其制造装置 [P].

金子忠昭 .

中国专利 :CN114174565A ,2022-03-11

[6]

一种SiC外延衬底传送方法 [P].

王俊森 ;

李博 ;

肖志成 ;

刘思远 .

中国专利 :CN119542218B ,2025-10-24

[7]

一种SiC外延衬底传送方法 [P].

王俊森 ;

李博 ;

肖志成 ;

刘思远 .

中国专利 :CN119542218A ,2025-02-28

[8]

一种SiC衬底生长GaN外延膜的方法 [P].

白俊春 ;

周小伟 ;

景文甲 ;

李培咸 ;

平加峰 .

中国专利 :CN109545661A ,2019-03-29

[9]

SiC外延晶片、SiC外延晶片的制造方法 [P].

乘松润 ;

宫坂晶 ;

影岛庆明 ;

龟井宏二 ;

武藤大祐 .

中国专利 :CN107407007A ,2017-11-28

[10]

SiC材料外延生长设备 [P].

张森 ;

费磊 .

中国专利 :CN213835528U ,2021-07-30

← 1 2 3 4 5 →