SiC外延衬底的制造方法及其制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080018795.2

申请日：

2020-03-03

公开(公告)号：

CN114174565A

公开(公告)日：

2022-03-11

发明(设计)人：

金子忠昭

申请人：

申请人地址：

日本国兵库县

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2306 C30B3302 C30B3312

代理机构：

北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400

代理人：

方挺;侯晓艳

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-11	公开	公开
2022-03-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/36 申请日:20200303

共 50 条

[1]

SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法 [P].

金子忠昭 .

中国专利 :CN114375351A ,2022-04-19

[2]

SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法 [P].

金子忠昭 .

日本专利 :CN114375351B ,2024-04-26

[3]

SiC衬底的制造方法及其制造装置 [P].

金子忠昭 ;

吉田奈都纪 ;

青木一史 .

中国专利 :CN114174567A ,2022-03-11

[4]

SiC外延晶片及其制造方法、以及SiC外延晶片的制造装置 [P].

影岛庆明 ;

武藤大祐 ;

百濑贤治 ;

宫坂佳彦 .

中国专利 :CN103649385A ,2014-03-19

[5]

外延SiC单晶衬底及外延SiC单晶衬底的制造方法 [P].

百瀬賢治 ;

小田原道哉 ;

松沢圭一 ;

奥村元 ;

児島一聡 ;

石田夕起 ;

土田秀一 ;

鎌田功穗 .

中国专利 :CN101802273B ,2010-08-11

[6]

SiC衬底的制造方法 [P].

金子忠昭 ;

小岛清 .

日本专利 :CN114342045B ,2025-09-19

[7]

SiC衬底的制造方法 [P].

金子忠昭 ;

小岛清 .

中国专利 :CN114342045A ,2022-04-12

[8]

SiC衬底的制造方法、其制造装置以及外延生长方法 [P].

金子忠昭 .

中国专利 :CN114174563A ,2022-03-11

[9]

SiC外延晶片的制造装置和SiC外延晶片的制造方法 [P].

乘松润 ;

宫坂晶 ;

影岛庆明 .

中国专利 :CN105830199B ,2016-08-03

[10]

SiC衬底的制造方法 [P].

金子忠昭 .

日本专利 :CN114424322B ,2025-11-28

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