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SiC衬底的制造方法

被引：0
申请号：
CN202080055175.6
申请日：
2020-08-05
公开(公告)号：
CN114342045A
公开(公告)日：
2022-04-12
发明(设计)人：
金子忠昭 小岛清
申请人：
申请人地址：
日本国兵库县
IPC主分类号：
H01L2120
IPC分类号：
H01L2178 C30B2520 C30B2936 C30B3312
代理机构：
北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400
代理人：
方挺;侯晓艳
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-04-12 公开 公开
2022-07-15 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20200805
共 50 条
[1]
SiC衬底的制造方法 [P]. 
金子忠昭 ;
小岛清 .
日本专利 :CN114342045B ,2025-09-19
[2]
SiC衬底的制造方法 [P]. 
金子忠昭 .
日本专利 :CN114424322B ,2025-11-28
[3]
SiC衬底的制造方法 [P]. 
金子忠昭 .
中国专利 :CN114424322A ,2022-04-29
[4]
SiC外延衬底的制造方法及其制造装置 [P]. 
金子忠昭 .
中国专利 :CN114174565A ,2022-03-11
[5]
SiC衬底、SiC衬底的制造方法、SiC半导体装置以及SiC半导体装置的制造方法 [P]. 
金子忠昭 .
中国专利 :CN114424343A ,2022-04-29
[6]
SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法 [P]. 
金子忠昭 .
中国专利 :CN114375351A ,2022-04-19
[7]
SiC衬底、SiC外延衬底、SiC晶锭及它们的制造方法 [P]. 
金子忠昭 .
日本专利 :CN114375351B ,2024-04-26
[8]
SiC衬底的制造方法 [P]. 
木村泰广 .
中国专利 :CN110517946B ,2019-11-29
[9]
SiC衬底的制造方法 [P]. 
长屋正武 ;
金子忠昭 .
中国专利 :CN114303232A ,2022-04-08
[10]
SiC衬底的制造方法及其制造装置 [P]. 
金子忠昭 ;
吉田奈都纪 ;
青木一史 .
中国专利 :CN114174567A ,2022-03-11
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