SiC外延晶片的制造装置和SiC外延晶片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480070027.6

申请日：

2014-10-30

公开(公告)号：

CN105830199B

公开(公告)日：

2016-08-03

发明(设计)人：

乘松润宫坂晶影岛庆明

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1642 C23C16458 C30B2520 H01L2120 H01L21683

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

刘航;段承恩

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-25	授权	授权
2016-08-31	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101676756786 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2014800700276 申请日:20141030
2016-08-03	公开	公开

共 50 条

[1]

SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法 [P].

盐野翼 ;

马渕雄一郎 .

日本专利 :CN115621113B ,2024-01-23

[2]

SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法 [P].

盐野翼 ;

马渕雄一郎 .

中国专利 :CN115621113A ,2023-01-17

[3]

SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法 [P].

田中健胜 ;

金田一麟平 ;

大内真理绘 .

日本专利 :CN117712149A ,2024-03-15

[4]

SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法 [P].

石桥直人 ;

深田启介 .

中国专利 :CN114496724A ,2022-05-13

[5]

SiC外延晶片、SiC外延晶片的制造方法 [P].

乘松润 ;

宫坂晶 ;

影岛庆明 ;

龟井宏二 ;

武藤大祐 .

中国专利 :CN107407007A ,2017-11-28

[6]

SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法 [P].

田中健胜 ;

梅田喜一 .

中国专利 :CN115704109A ,2023-02-17

[7]

SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法 [P].

田中健胜 ;

梅田喜一 .

中国专利 :CN115704106A ,2023-02-17

[8]

SiC外延晶片及其制造方法、以及SiC外延晶片的制造装置 [P].

影岛庆明 ;

武藤大祐 ;

百濑贤治 ;

宫坂佳彦 .

中国专利 :CN103649385A ,2014-03-19

[9]

SiC外延晶片的制造方法 [P].

小田原道哉 ;

田岛裕 ;

武藤大祐 ;

百濑贤治 .

中国专利 :CN105408985A ,2016-03-16

[10]

SiC外延晶片的制造方法 [P].

西原祯孝 .

中国专利 :CN111180319A ,2020-05-19

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