SiC外延晶片及其制造方法、以及SiC外延晶片的制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280035315.9

申请日：

2012-07-12

公开(公告)号：

CN103649385A

公开(公告)日：

2014-03-19

发明(设计)人：

影岛庆明武藤大祐百濑贤治宫坂佳彦

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C23C1642 C30B2520 H01L21205

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

段承恩;杨光军

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-11-02	授权	授权
2014-03-19	公开	公开
2014-04-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101581481435 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2012800353159 申请日:20120712

共 50 条

[1]

SiC外延晶片、SiC外延晶片的制造方法 [P].

乘松润 ;

宫坂晶 ;

影岛庆明 ;

龟井宏二 ;

武藤大祐 .

中国专利 :CN107407007A ,2017-11-28

[2]

SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法 [P].

石桥直人 ;

深田启介 .

中国专利 :CN114496724A ,2022-05-13

[3]

SiC外延晶片的制造装置和SiC外延晶片的制造方法 [P].

乘松润 ;

宫坂晶 ;

影岛庆明 .

中国专利 :CN105830199B ,2016-08-03

[4]

SiC外延晶片及其制造方法 [P].

百濑贤治 ;

小田原道哉 ;

武藤大祐 ;

影岛庆明 .

中国专利 :CN103765559A ,2014-04-30

[5]

SiC外延晶片及其制造方法 [P].

深田启介 ;

石桥直人 ;

坂东章 ;

伊藤雅彦 ;

镰田功穗 ;

土田秀一 ;

原一都 ;

内藤正美 ;

上东秀幸 ;

藤林裕明 ;

青木宏文 ;

杉浦利和 ;

铃木克己 .

中国专利 :CN110637109B ,2019-12-31

[6]

SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法 [P].

盐野翼 ;

马渕雄一郎 .

日本专利 :CN115621113B ,2024-01-23

[7]

SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法 [P].

田中健胜 ;

金田一麟平 ;

大内真理绘 .

日本专利 :CN117712149A ,2024-03-15

[8]

SiC外延晶片和SiC外延晶片的制造方法 [P].

盐野翼 ;

马渕雄一郎 .

中国专利 :CN115621113A ,2023-01-17

[9]

SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法 [P].

田中健胜 ;

梅田喜一 .

中国专利 :CN115704109A ,2023-02-17

[10]

SiC外延晶片及SiC外延晶片的制造方法 [P].

田中健胜 ;

梅田喜一 .

中国专利 :CN115704106A ,2023-02-17

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