斜切SiC衬底上生长GaN外延层的方法及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511735698.6

申请日：

2025-11-25

公开(公告)号：

CN121218660A

公开(公告)日：

2025-12-26

发明(设计)人：

卢双赞潘嘉杰李思超向诗力贾汉祥董浩刘力柳俊

申请人：

湖北九峰山实验室

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号

IPC主分类号：

H10D62/00

IPC分类号：

H10D62/82 H01L21/205 H10D84/83

代理机构：

北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463

代理人：

曹延鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-26	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101345221A ,2009-01-14

[2]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

长田英树 ;

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101350333A ,2009-01-21

[3]

GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 [P].

中畑成二 ;

元木健作 .

中国专利 :CN101568671A ,2009-10-28

[4]

SiC衬底上GaN基材料的制备方法及半导体器件 [P].

郭艳敏 ;

尹甲运 ;

李佳 ;

王波 ;

张志荣 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

房玉龙 ;

冯志红 .

中国专利 :CN113628954A ,2021-11-09

[5]

半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件 [P].

橘浩一 ;

本乡智惠 ;

布上真也 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN1741296A ,2006-03-01

[6]

硅衬底上生长氮化物外延层的方法及其半导体器件 [P].

马悦 ;

黄占超 ;

奚明 .

中国专利 :CN103872199B ,2014-06-18

[7]

半导体衬底、外延片和半导体器件 [P].

丁涛 ;

王朋 ;

段焕涛 .

中国专利 :CN120749001A ,2025-10-03

[8]

用于生长外延晶体的半导体衬底及半导体器件 [P].

阿列克谢·伊瓦诺夫 ;

朱廷刚 ;

伊迪亚·乔德瑞 ;

苗操 ;

王科 ;

王东盛 ;

张葶葶 ;

魏鸿源 .

中国专利 :CN104681411A ,2015-06-03

[9]

用于半绝缘GaN外延层生长的SiC衬底表面处理方法 [P].

王科 ;

夏远洋 ;

李亦衡 ;

朱廷刚 .

中国专利 :CN114758948A ,2022-07-15

[10]

一种在导电SiC衬底上生长GaN外延材料的方法及器件 [P].

王晓亮 ;

李百泉 ;

冯春 ;

肖红领 ;

姜丽娟 ;

李天运 ;

邱爱芹 ;

介芳 .

中国专利 :CN110739207A ,2020-01-31

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