GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880001356.X

申请日：

2008-09-19

公开(公告)号：

CN101568671A

公开(公告)日：

2009-10-28

发明(设计)人：

中畑成二元木健作

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B2518 H01L21205 H01S5323 H01S5343

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-14	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101461542734 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:200880001356X 申请公布日:20091028
2010-04-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101001098578 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:200880001356X 申请日:20080919
2009-10-28	公开	公开

共 50 条

[1]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101345221A ,2009-01-14

[2]

制造GaN衬底、外延晶片和半导体器件的方法以及外延晶片 [P].

中西文毅 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101452834B ,2009-06-10

[3]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

长田英树 ;

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101350333A ,2009-01-21

[4]

GaN衬底制造方法、GaN衬底和半导体器件 [P].

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101441998A ,2009-05-27

[5]

GaN衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件 [P].

秋田胜史 .

中国专利 :CN101308896A ,2008-11-19

[6]

硅衬底GaN半导体器件外延材料结构 [P].

刘查理 .

中国专利 :CN108615763B ,2018-10-02

[7]

GaN衬底和半导体器件 [P].

藤原伸介 ;

樱田隆 ;

木山诚 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102148141A ,2011-08-10

[8]

半导体衬底、外延片和半导体器件 [P].

丁涛 ;

王朋 ;

段焕涛 .

中国专利 :CN120749001A ,2025-10-03

[9]

外延半导体衬底的制造方法和半导体器件的制造方法 [P].

李浩 ;

申东石 ;

李化成 ;

上野哲嗣 ;

李承焕 .

中国专利 :CN1828836A ,2006-09-06

[10]

半导体衬底及在半导体衬底上通过外延生长制造的半导体器件 [P].

橘浩一 ;

本乡智惠 ;

布上真也 ;

小野村正明 .

中国专利 :CN1741296A ,2006-03-01

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