硅衬底GaN半导体器件外延材料结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810485372.6

申请日：

2018-05-21

公开(公告)号：

CN108615763B

公开(公告)日：

2018-10-02

发明(设计)人：

刘查理

申请人：

申请人地址：

美国亚利桑那州斯科茨代尔市猩猩木车道东12423号

IPC主分类号：

H01L29778

IPC分类号：

H01L2910 H01L2906

代理机构：

无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260

代理人：

张欢勇

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-10-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/778 申请日:20180521
2018-10-02	公开	公开
2021-01-29	授权	授权

共 50 条

[1]

GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 [P].

中畑成二 ;

元木健作 .

中国专利 :CN101568671A ,2009-10-28

[2]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101345221A ,2009-01-14

[3]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

长田英树 ;

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101350333A ,2009-01-21

[4]

GaN衬底和半导体器件 [P].

藤原伸介 ;

樱田隆 ;

木山诚 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102148141A ,2011-08-10

[5]

基于GaN材料的半导体器件材料层结构以及GaN器件 [P].

刘春利 .

中国专利 :CN211320109U ,2020-08-21

[6]

GaN衬底制造方法、GaN衬底和半导体器件 [P].

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101441998A ,2009-05-27

[7]

半导体衬底、外延片和半导体器件 [P].

丁涛 ;

王朋 ;

段焕涛 .

中国专利 :CN120749001A ,2025-10-03

[8]

半导体器件外延生长的隐形结构衬底 [P].

罗睿宏 ;

梁智文 ;

张国义 .

中国专利 :CN102978695A ,2013-03-20

[9]

衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN102324435A ,2012-01-18

[10]

衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN202332857U ,2012-07-11

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