GaN衬底制造方法、GaN衬底和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810177771.2

申请日：

2008-11-20

公开(公告)号：

CN101441998A

公开(公告)日：

2009-05-27

发明(设计)人：

入仓正登中畑成二

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2118

IPC分类号：

H01L21304

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

陈海涛;樊卫民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-05-27	公开	公开
2011-08-17	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101176973953 IPC(主分类):H01L 21/18 专利申请号:2008101777712 公开日:20090527

共 50 条

[1]

GaN衬底和半导体器件 [P].

藤原伸介 ;

樱田隆 ;

木山诚 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102148141A ,2011-08-10

[2]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101345221A ,2009-01-14

[3]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

长田英树 ;

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101350333A ,2009-01-21

[4]

GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 [P].

中畑成二 ;

元木健作 .

中国专利 :CN101568671A ,2009-10-28

[5]

GaN衬底、制造GaN衬底的方法、制造接合有GaN层的衬底的方法和制造半导体器件的方法 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN102308032A ,2012-01-04

[6]

保存GaN衬底的方法、保存的GaN衬底以及半导体器件及其制造方法 [P].

中畑成二 .

中国专利 :CN102471932A ,2012-05-23

[7]

GaN衬底的储存方法、储存的衬底、和半导体器件及其制造方法 [P].

井尻英幸 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101090062A ,2007-12-19

[8]

GaN单晶衬底、基于GaN的半导体器件及它们的制造方法 [P].

藤原伸介 ;

上松康二 ;

长田英树 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN102011191A ,2011-04-13

[9]

GaN衬底、半导体器件及其制作方法 [P].

张正海 ;

张宗民 ;

曹伯承 .

中国专利 :CN102637723A ,2012-08-15

[10]

GaN衬底及GaN衬底的制造方法 [P].

会田英雄 ;

青田奈津子 ;

池尻宪次朗 ;

金圣祐 ;

小山浩司 ;

武田秀俊 ;

植木笃 .

中国专利 :CN105026625A ,2015-11-04

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