GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810130233.8

申请日：

2008-06-16

公开(公告)号：

CN101345221A

公开(公告)日：

2009-01-14

发明(设计)人：

笠井仁石桥惠二中畑成二秋田胜史京野孝史三浦祥纪

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2300

IPC分类号：

H01L2120 H01L3300 H01S500 C30B2940

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

梁晓广;陆锦华

法律状态：

专利权的视为放弃

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-05	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃号牌文件类型代码:1606 号牌文件序号:101466717747 IPC(主分类):H01L 23/00 专利申请号:2008101302338 放弃生效日:20090114
2009-01-14	公开	公开
2010-06-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101003058015 IPC(主分类):H01L 23/00 专利申请号:2008101302338 申请日:20080616

共 50 条

[1]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

长田英树 ;

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101350333A ,2009-01-21

[2]

GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 [P].

中畑成二 ;

元木健作 .

中国专利 :CN101568671A ,2009-10-28

[3]

GaN衬底制造方法、GaN衬底和半导体器件 [P].

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101441998A ,2009-05-27

[4]

GaN衬底、制造GaN衬底的方法、制造接合有GaN层的衬底的方法和制造半导体器件的方法 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN102308032A ,2012-01-04

[5]

GaN衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件 [P].

秋田胜史 .

中国专利 :CN101308896A ,2008-11-19

[6]

GaN衬底及GaN衬底的制造方法 [P].

会田英雄 ;

青田奈津子 ;

池尻宪次朗 ;

金圣祐 ;

小山浩司 ;

武田秀俊 ;

植木笃 .

中国专利 :CN105026625A ,2015-11-04

[7]

GaN衬底和半导体器件 [P].

藤原伸介 ;

樱田隆 ;

木山诚 ;

善积祐介 .

中国专利 :CN102148141A ,2011-08-10

[8]

保存GaN衬底的方法、保存的GaN衬底以及半导体器件及其制造方法 [P].

中畑成二 .

中国专利 :CN102471932A ,2012-05-23

[9]

制造GaN衬底、外延晶片和半导体器件的方法以及外延晶片 [P].

中西文毅 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101452834B ,2009-06-10

[10]

硅衬底GaN半导体器件外延材料结构 [P].

刘查理 .

中国专利 :CN108615763B ,2018-10-02

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