GaN衬底和半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110006321.9

申请日：

2007-11-30

公开(公告)号：

CN102148141A

公开(公告)日：

2011-08-10

发明(设计)人：

藤原伸介樱田隆木山诚善积祐介

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2120 C30B2502 C30B2940

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101110107930 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2011100063219 申请日:20071130
2011-08-10	公开	公开
2013-02-27	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101523597318 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2011100063219 申请公布日:20110810

共 50 条

[1]

GaN衬底制造方法、GaN衬底和半导体器件 [P].

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101441998A ,2009-05-27

[2]

半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 [P].

木岛公一朗 .

中国专利 :CN101317257A ,2008-12-03

[3]

GaN外延衬底、半导体器件以及制造GaN外延衬底和半导体器件的方法 [P].

中畑成二 ;

元木健作 .

中国专利 :CN101568671A ,2009-10-28

[4]

半导体器件和半导体衬底 [P].

杉井信之 ;

中川清和 ;

山中伸也 ;

宫尾正信 .

中国专利 :CN1210809C ,2002-05-15

[5]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

陈峰 .

中国专利 :CN112951897A ,2021-06-11

[6]

半导体衬底、半导体器件及半导体衬底制造方法 [P].

程凯 .

中国专利 :CN103681992A ,2014-03-26

[7]

复合GaN衬底、制造复合GaN衬底的方法、III族氮化物半导体器件和制造III族氮化物半导体器件的方法 [P].

木山诚 ;

松原秀树 ;

冈久拓司 .

中国专利 :CN103180935A ,2013-06-26

[8]

GaN衬底以及采用该衬底的外延衬底和半导体发光器件 [P].

秋田胜史 .

中国专利 :CN101308896A ,2008-11-19

[9]

半导体衬底生产方法及半导体衬底和半导体器件 [P].

竹中正浩 .

中国专利 :CN1259694C ,2004-04-07

[10]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101345221A ,2009-01-14

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