GaN衬底及GaN衬底的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480007176.8

申请日：

2014-02-06

公开(公告)号：

CN105026625A

公开(公告)日：

2015-11-04

发明(设计)人：

会田英雄青田奈津子池尻宪次朗金圣祐小山浩司武田秀俊植木笃

申请人：

申请人地址：

日本东京都足立区新田3丁目8番22号

IPC主分类号：

C30B2938

IPC分类号：

C30B2518

代理机构：

上海音科专利商标代理有限公司 31267

代理人：

周长兴

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B 29/38 申请公布日:20151104
2015-12-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101635127610 IPC(主分类):C30B 29/38 专利申请号:2014800071768 申请日:20140206
2015-11-04	公开	公开

共 50 条

[1]

制备单晶GaN衬底的方法及单晶GaN衬底 [P].

笠井仁 ;

元木健作 .

中国专利 :CN1670918A ,2005-09-21

[2]

GaN衬底制造方法、GaN衬底和半导体器件 [P].

入仓正登 ;

中畑成二 .

中国专利 :CN101441998A ,2009-05-27

[3]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

秋田胜史 ;

京野孝史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101345221A ,2009-01-14

[4]

GaN衬底、带外延层的衬底、半导体器件及GaN衬底制造方法 [P].

长田英树 ;

笠井仁 ;

石桥惠二 ;

中畑成二 ;

京野孝史 ;

秋田胜史 ;

三浦祥纪 .

中国专利 :CN101350333A ,2009-01-21

[5]

GaN衬底、制造GaN衬底的方法、制造接合有GaN层的衬底的方法和制造半导体器件的方法 [P].

八乡昭广 .

中国专利 :CN102308032A ,2012-01-04

[6]

矶宪司 ;

广泽拓哉 .

日本专利 :CN120380207A ,2025-07-25

[7]

生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底 [P].

柴田真佐知 ;

黑田尚孝 .

中国专利 :CN1249780C ,2002-11-06

[8]

GaN晶体衬底及其制造方法 [P].

田中仁子 .

中国专利 :CN102492992A ,2012-06-13

[9]

GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法 [P].

郑镇石 ;

李基秀 ;

金京俊 ;

李柱宪 ;

秦昌旭 .

中国专利 :CN101174597A ,2008-05-07

[10]

GaN晶体衬底 [P].

藤田俊介 ;

笠井仁 .

中国专利 :CN101070619B ,2007-11-14

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