制备单晶GaN衬底的方法及单晶GaN衬底

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510056314.4

申请日：

2005-03-16

公开(公告)号：

CN1670918A

公开(公告)日：

2005-09-21

发明(设计)人：

笠井仁元木健作

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21205 H01L2102

代理机构：

中科专利商标代理有限责任公司

代理人：

陈平

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2005-09-21	公开	公开
2007-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2011-09-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101183764735 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2005100563144 公开日:20050921

共 50 条

[1]

GaN单晶衬底以及GaN单晶衬底的制造方法 [P].

大岛佑一 ;

柴田真佐知 .

中国专利 :CN101404248B ,2009-04-08

[2]

GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法 [P].

郑镇石 ;

李基秀 ;

金京俊 ;

李柱宪 ;

秦昌旭 .

中国专利 :CN101174597A ,2008-05-07

[3]

GaN单晶的制造方法、GaN薄膜模板衬底及GaN单晶生长装置 [P].

森冈理 ;

高草木操 ;

清水孝幸 .

中国专利 :CN101517134A ,2009-08-26

[4]

GaN单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 ;

西本达也 .

中国专利 :CN1240304A ,2000-01-05

[5]

GaN单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1283306A ,2001-02-07

[6]

GaN单晶衬底及其制造方法 [P].

元木健作 ;

冈久拓司 ;

松本直树 .

中国专利 :CN1542992A ,2004-11-03

[7]

GaN衬底及GaN衬底的制造方法 [P].

会田英雄 ;

青田奈津子 ;

池尻宪次朗 ;

金圣祐 ;

小山浩司 ;

武田秀俊 ;

植木笃 .

中国专利 :CN105026625A ,2015-11-04

[8]

一种GaN单晶衬底的制备方法 [P].

范谦 ;

顾星 ;

倪贤锋 .

中国专利 :CN117552111A ,2024-02-13

[9]

一种GaN单晶衬底的制备方法 [P].

范谦 ;

顾星 ;

倪贤锋 .

中国专利 :CN117552111B ,2024-08-13

[10]

一种GaN单晶衬底的制备方法 [P].

刘南柳 ;

姜永京 ;

王琦 ;

徐忱文 ;

张国义 .

中国专利 :CN110616462A ,2019-12-27

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