一种GaN单晶衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311533965.2

申请日：

2023-11-16

公开(公告)号：

CN117552111A

公开(公告)日：

2024-02-13

发明(设计)人：

范谦顾星倪贤锋

申请人：

东南大学苏州研究院

申请人地址：

215000 江苏省镇江市苏州工业园区独墅湖高教区林泉街399号

IPC主分类号：

C30B29/40

IPC分类号：

C30B25/18

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

金诗琦

法律状态：

授权

国省代码：

江苏省南京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-13	授权	授权
2024-02-13	公开	公开
2024-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/40申请日:20231116
2024-04-26	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):C30B 29/40变更事项:申请人变更前:东南大学苏州研究院变更后:东南大学苏州研究院变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:215000 江苏省镇江市苏州工业园区独墅湖高教区林泉街399号变更后:215000 江苏省苏州市苏州工业园区独墅湖高教区林泉街399号

共 50 条

[1]

一种GaN单晶衬底的制备方法 [P].

范谦 ;

顾星 ;

倪贤锋 .

中国专利 :CN117552111B ,2024-08-13

[2]

制备单晶GaN衬底的方法及单晶GaN衬底 [P].

笠井仁 ;

元木健作 .

中国专利 :CN1670918A ,2005-09-21

[3]

一种GaN单晶衬底的制备方法 [P].

刘南柳 ;

姜永京 ;

王琦 ;

徐忱文 ;

张国义 .

中国专利 :CN110616462A ,2019-12-27

[4]

GaN单晶衬底以及GaN单晶衬底的制造方法 [P].

大岛佑一 ;

柴田真佐知 .

中国专利 :CN101404248B ,2009-04-08

[5]

GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法 [P].

郑镇石 ;

李基秀 ;

金京俊 ;

李柱宪 ;

秦昌旭 .

中国专利 :CN101174597A ,2008-05-07

[6]

一种自分离制备GaN单晶衬底的方法 [P].

刘南柳 ;

王琦 ;

姜永京 ;

徐忱文 ;

张国义 .

中国专利 :CN111430218B ,2020-07-17

[7]

一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法 [P].

王斌 ;

于广辉 ;

赵志德 ;

徐伟 ;

张燕辉 ;

陈志蓥 ;

隋妍萍 .

中国专利 :CN103928583A ,2014-07-16

[8]

高散热的GaN单晶衬底及其制备方法 [P].

刘南柳 ;

王琦 ;

梁智文 ;

姜永京 ;

张国义 .

中国专利 :CN112164976A ,2021-01-01

[9]

一种制备高质量GaN单晶衬底的方法 [P].

刘南柳 ;

王琦 ;

姜永京 ;

徐忱文 ;

梁智文 ;

张国义 .

中国专利 :CN110760926A ,2020-02-07

[10]

衬底、基于所述衬底的自支撑GaN单晶及其制备方法 [P].

刘良宏 ;

许彬 ;

张海涛 .

中国专利 :CN111607825A ,2020-09-01

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