一种GaN单晶衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910965282.1

申请日：

2019-10-11

公开(公告)号：

CN110616462A

公开(公告)日：

2019-12-27

发明(设计)人：

刘南柳姜永京王琦徐忱文张国义

申请人：

申请人地址：

523808 广东省东莞市松山湖园区沁园路17号1栋2单元306号

IPC主分类号：

C30B2940

IPC分类号：

C30B910

代理机构：

东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙) 44412

代理人：

邓燕

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-03-19	授权	授权
2019-12-27	公开	公开
2020-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/40 申请日:20191011

共 50 条

[1]

一种制备高质量GaN单晶衬底的方法 [P].

刘南柳 ;

王琦 ;

姜永京 ;

徐忱文 ;

梁智文 ;

张国义 .

中国专利 :CN110760926A ,2020-02-07

[2]

制备单晶GaN衬底的方法及单晶GaN衬底 [P].

笠井仁 ;

元木健作 .

中国专利 :CN1670918A ,2005-09-21

[3]

高散热的GaN单晶衬底及其制备方法 [P].

刘南柳 ;

王琦 ;

梁智文 ;

姜永京 ;

张国义 .

中国专利 :CN112164976A ,2021-01-01

[4]

一种GaN单晶衬底的制备方法 [P].

范谦 ;

顾星 ;

倪贤锋 .

中国专利 :CN117552111A ,2024-02-13

[5]

一种GaN单晶衬底的制备方法 [P].

范谦 ;

顾星 ;

倪贤锋 .

中国专利 :CN117552111B ,2024-08-13

[6]

GaN单晶衬底以及GaN单晶衬底的制造方法 [P].

大岛佑一 ;

柴田真佐知 .

中国专利 :CN101404248B ,2009-04-08

[7]

GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法 [P].

郑镇石 ;

李基秀 ;

金京俊 ;

李柱宪 ;

秦昌旭 .

中国专利 :CN101174597A ,2008-05-07

[8]

GaN单晶的制造方法、GaN薄膜模板衬底及GaN单晶生长装置 [P].

森冈理 ;

高草木操 ;

清水孝幸 .

中国专利 :CN101517134A ,2009-08-26

[9]

一种自分离制备GaN单晶衬底的方法 [P].

刘南柳 ;

王琦 ;

姜永京 ;

徐忱文 ;

张国义 .

中国专利 :CN111430218B ,2020-07-17

[10]

一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法 [P].

王斌 ;

于广辉 ;

赵志德 ;

徐伟 ;

张燕辉 ;

陈志蓥 ;

隋妍萍 .

中国专利 :CN103928583A ,2014-07-16

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