一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410177651.8

申请日：

2014-04-29

公开(公告)号：

CN103928583A

公开(公告)日：

2014-07-16

发明(设计)人：

王斌于广辉赵志德徐伟张燕辉陈志蓥隋妍萍

申请人：

申请人地址：

200050 上海市长宁区长宁路865号

IPC主分类号：

H01L3332

IPC分类号：

代理机构：

上海智信专利代理有限公司 31002

代理人：

潘振甦

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101584391022 IPC(主分类):H01L 33/32 专利申请号:2014101776518 申请日:20140429
2017-06-13	授权	授权
2014-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

衬底、基于所述衬底的自支撑GaN单晶及其制备方法 [P].

刘良宏 ;

许彬 ;

张海涛 .

中国专利 :CN111607825A ,2020-09-01

[2]

一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法 [P].

张雷 ;

齐占国 ;

俞娇仙 ;

王守志 ;

王国栋 ;

刘磊 .

中国专利 :CN115992385B ,2025-03-14

[3]

制备单晶GaN衬底的方法及单晶GaN衬底 [P].

笠井仁 ;

元木健作 .

中国专利 :CN1670918A ,2005-09-21

[4]

一种制备自支撑GaN衬底材料的方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

韩平 ;

陆海 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN107611004A ,2018-01-19

[5]

制备自支撑GaN衬底的自分离方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

刘斌 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN109023516A ,2018-12-18

[6]

GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法 [P].

郑镇石 ;

李基秀 ;

金京俊 ;

李柱宪 ;

秦昌旭 .

中国专利 :CN101174597A ,2008-05-07

[7]

一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法 [P].

张国义 ;

杨志坚 ;

方浩 ;

李丁 ;

桑立雯 ;

陶岳彬 ;

康香宁 ;

孙永健 ;

陆羽 ;

赵璐冰 .

中国专利 :CN101685768A ,2010-03-31

[8]

一种GaN单晶衬底的制备方法 [P].

范谦 ;

顾星 ;

倪贤锋 .

中国专利 :CN117552111A ,2024-02-13

[9]

一种GaN单晶衬底的制备方法 [P].

范谦 ;

顾星 ;

倪贤锋 .

中国专利 :CN117552111B ,2024-08-13

[10]

一种GaN单晶衬底的制备方法 [P].

刘南柳 ;

姜永京 ;

王琦 ;

徐忱文 ;

张国义 .

中国专利 :CN110616462A ,2019-12-27

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