一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310018194.7

申请日：

2023-01-06

公开(公告)号：

CN115992385B

公开(公告)日：

2025-03-14

发明(设计)人：

张雷齐占国俞娇仙王守志王国栋刘磊

申请人：

山东晶镓半导体有限公司

申请人地址：

250000 山东省济南市中国（山东）自由贸易试验区济南片区彩石街道虎山北路1001号智能传感器（济南）创新中心5-70

IPC主分类号：

C30B25/18

IPC分类号：

H01L21/02 C30B29/40

代理机构：

济南格源知识产权代理有限公司 37306

代理人：

张蕾

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

在蓝宝石图形衬底上制备无应力GaN厚膜的方法 [P].

胡强 ;

段瑞飞 ;

魏同波 ;

杨建坤 ;

霍自强 ;

曾一平 .

中国专利 :CN102034693A ,2011-04-27

[2]

一种在蓝宝石衬底上生长非极性GaN厚膜的方法 [P].

魏同波 ;

段瑞飞 ;

霍自强 ;

王军喜 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101519799A ,2009-09-02

[3]

一种制备自支撑GaN衬底材料的方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

韩平 ;

陆海 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN107611004A ,2018-01-19

[4]

衬底、基于所述衬底的自支撑GaN单晶及其制备方法 [P].

刘良宏 ;

许彬 ;

张海涛 .

中国专利 :CN111607825A ,2020-09-01

[5]

一种GaN单晶自支撑衬底的制备方法 [P].

王斌 ;

于广辉 ;

赵志德 ;

徐伟 ;

张燕辉 ;

陈志蓥 ;

隋妍萍 .

中国专利 :CN103928583A ,2014-07-16

[6]

一种在蓝宝石衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法 [P].

梅增霞 ;

梁会力 ;

梁爽 ;

刘章龙 ;

李俊强 ;

侯尧楠 ;

刘尧平 ;

崔秀芝 ;

张生利 ;

杜小龙 .

中国专利 :CN101834127A ,2010-09-15

[7]

一种蓝宝石图形衬底的制备方法 [P].

韩沈丹 ;

黄宏嘉 .

中国专利 :CN104485406A ,2015-04-01

[8]

一种在蓝宝石衬底上生长具有不同极性GaN结构的方法 [P].

刘三姐 ;

郑新和 ;

侯彩霞 ;

王瑾 ;

何荧峰 ;

李美玲 .

中国专利 :CN106531614A ,2017-03-22

[9]

在蓝宝石衬底上制备纳米晶石墨烯的方法 [P].

蔚翠 ;

冯志红 ;

刘庆彬 ;

何泽召 ;

王晶晶 ;

宋旭波 ;

周闯杰 .

中国专利 :CN107161988A ,2017-09-15

[10]

色心蓝宝石衬底的制备方法 [P].

蒋成勇 ;

徐军 ;

周圣明 ;

杨卫桥 ;

周国清 ;

王银珍 ;

彭观良 ;

邹军 ;

刘士良 ;

张俊计 ;

邓佩珍 .

中国专利 :CN1540718A ,2004-10-27

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-07-02	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):C30B 25/18登记生效日:20240617变更事项:申请人变更前权利人:山东大学变更后权利人:济南晶鑫投资合伙企业（有限合伙）变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:250100 山东省济南市历下区山大南路27号变更后权利人:250000 山东省济南市中国（山东）自由贸易试验区济南片区彩石街道虎山北路1001号智能传感器（济南）创新中心5-70
2024-07-16	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移IPC(主分类):C30B 25/18登记生效日:20240628变更事项:申请人变更前权利人:济南晶鑫投资合伙企业（有限合伙）变更后权利人:山东晶镓半导体有限公司变更事项:国家或地区变更前权利人:中国变更后权利人:中国变更事项:地址变更前权利人:250000 山东省济南市中国（山东）自由贸易试验区济南片区彩石街道虎山北路1001号智能传感器（济南）创新中心5-70变更后权利人:250000 山东省济南市中国（山东）自由贸易试验区济南片区彩石街道虎山北路1001号智能传感器（济南）创新中心5-70
2025-03-14	授权	授权