制备自支撑GaN衬底的自分离方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811022456.2

申请日：

2018-09-03

公开(公告)号：

CN109023516A

公开(公告)日：

2018-12-18

发明(设计)人：

修向前李悦文张荣华雪梅谢自力陈鹏刘斌施毅郑有炓

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

IPC主分类号：

C30B2518

IPC分类号：

C30B2940

代理机构：

江苏斐多律师事务所 32332

代理人：

张佳妮

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-22	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 25/18 申请公布日:20181218
2019-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/18 申请日:20180903
2018-12-18	公开	公开

共 50 条

[1]

制备GaN衬底的自分离方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

刘斌 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN109023515A ,2018-12-18

[2]

一种制备自支撑GaN衬底材料的方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

韩平 ;

陆海 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN107611004A ,2018-01-19

[3]

基于铝酸锶薄膜制备GaN自分离衬底的方法 [P].

修向前 ;

朱宇霞 ;

陶涛 ;

张荣 .

中国专利 :CN114420534A ,2022-04-29

[4]

GaN自支撑衬底的制备方法 [P].

闫其昂 ;

范光华 ;

沈蔚 ;

邢怀勇 ;

杨敏 .

中国专利 :CN111430220A ,2020-07-17

[5]

一种制备GaN衬底材料的方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

熊则宁 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

韩平 ;

陆海 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN109056058A ,2018-12-21

[6]

一种制备GaN衬底材料的方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

熊则宁 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

韩平 ;

陆海 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN107587190A ,2018-01-16

[7]

一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法 [P].

张雷 ;

齐占国 ;

俞娇仙 ;

王守志 ;

王国栋 ;

刘磊 .

中国专利 :CN115992385B ,2025-03-14

[8]

自支撑氮化镓衬底的制作方法 [P].

任俊杰 ;

王帅 .

中国专利 :CN113903655B ,2025-12-05

[9]

自支撑氮化镓衬底的制作方法 [P].

任俊杰 ;

王帅 .

中国专利 :CN113903655A ,2022-01-07

[10]

制备大尺寸GaN自支撑衬底的方法 [P].

胡强 ;

段瑞飞 ;

魏同波 ;

杨建坤 ;

霍自强 ;

曾一平 .

中国专利 :CN102031560A ,2011-04-27

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