GaN自支撑衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010223742.6

申请日：

2020-03-26

公开(公告)号：

CN111430220A

公开(公告)日：

2020-07-17

发明(设计)人：

闫其昂范光华沈蔚邢怀勇杨敏

申请人：

申请人地址：

215021 江苏省苏州市工业园区平胜路67号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C23C1601 C23C1630 C23C16455 C23C1656

代理机构：

江苏圣典律师事务所 32237

代理人：

王玉国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200326
2020-07-17	公开	公开

共 50 条

[1]

制备自支撑GaN衬底的自分离方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

刘斌 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN109023516A ,2018-12-18

[2]

大尺寸非极性A面GaN自支撑衬底的制备方法 [P].

李辉杰 ;

杨少延 ;

魏鸿源 ;

赵桂娟 ;

汪连山 ;

李成明 ;

刘祥林 ;

王占国 .

中国专利 :CN104993012B ,2015-10-21

[3]

一种在蓝宝石衬底上制备自支撑GaN单晶衬底的方法 [P].

张雷 ;

齐占国 ;

俞娇仙 ;

王守志 ;

王国栋 ;

刘磊 .

中国专利 :CN115992385B ,2025-03-14

[4]

通过制备N面锥形结构衬底获得自支撑GaN单晶的方法 [P].

郝霄鹏 ;

邵永亮 ;

张雷 ;

吴拥中 ;

戴元滨 ;

田媛 ;

霍勤 .

中国专利 :CN104060323A ,2014-09-24

[5]

制备GaN衬底的自分离方法 [P].

修向前 ;

李悦文 ;

张荣 ;

华雪梅 ;

谢自力 ;

陈鹏 ;

刘斌 ;

施毅 ;

郑有炓 .

中国专利 :CN109023515A ,2018-12-18

[6]

一种高质量自支撑GaN衬底的制备方法及生长结构 [P].

徐俞 ;

王建峰 ;

徐科 .

中国专利 :CN110707002B ,2020-01-17

[7]

GaN复合衬底及其制备方法 [P].

李姚 ;

赵田辉 ;

李群 ;

蒲红斌 .

中国专利 :CN114093940A ,2022-02-25

[8]

GaN基图形衬底模板的制备方法 [P].

张佰君 ;

卫静婷 ;

饶文涛 .

中国专利 :CN101814427A ,2010-08-25

[9]

一种GaN衬底的制备方法 [P].

于彤军 ;

程玉田 ;

吴洁君 ;

韩彤 ;

张国义 .

中国专利 :CN106298443A ,2017-01-04

[10]

一种GaN衬底的制备方法 [P].

于彤军 ;

龙浩 ;

张国义 ;

吴洁君 ;

贾传宇 ;

杨志坚 ;

王新强 .

中国专利 :CN102226985B ,2011-10-26

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