GaN基图形衬底模板的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010136249.7

申请日：

2010-03-26

公开(公告)号：

CN101814427A

公开(公告)日：

2010-08-25

发明(设计)人：

张佰君卫静婷饶文涛

申请人：

申请人地址：

510275 广东省广州市新港西路135号

IPC主分类号：

H01L21033

IPC分类号：

代理机构：

广州粤高专利商标代理有限公司 44102

代理人：

陈卫

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101489383684 IPC(主分类):H01L 21/033 专利申请号:2010101362497 申请公布日:20100825
2010-08-25	公开	公开
2010-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101007482764 IPC(主分类):H01L 21/033 专利申请号:2010101362497 申请日:20100326

共 50 条

[1]

基于阳极氧化铝的GaN基图形衬底模板的制作方法 [P].

张佰君 ;

卫静婷 ;

饶文涛 .

中国专利 :CN101807518A ,2010-08-18

[2]

LED结构及其GaN基衬底、GaN基衬底的制作方法 [P].

刘慰华 ;

程凯 .

中国专利 :CN116438665B ,2025-04-25

[3]

利用硅001晶面制备GaN基LED的图形衬底的方法 [P].

谢建春 .

中国专利 :CN101471402A ,2009-07-01

[4]

GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法 [P].

刘凯 .

中国专利 :CN115410971A ,2022-11-29

[5]

GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法 [P].

刘凯 .

中国专利 :CN115410971B ,2025-11-25

[6]

图形化衬底及其制备方法、GaN基半导体结构 [P].

马欢 ;

房玉川 ;

葛永晖 ;

吴志浩 .

中国专利 :CN118448242A ,2024-08-06

[7]

一种GaN基光子晶体模板及其制备方法 [P].

康香宁 ;

付星星 ;

章蓓 ;

熊畅 ;

于彤军 ;

张国义 .

中国专利 :CN102041539A ,2011-05-04

[8]

硅衬底GaN基LED及其制备方法 [P].

周名兵 .

中国专利 :CN112736171A ,2021-04-30

[9]

生长GaN晶体衬底的方法和GaN晶体衬底 [P].

柴田真佐知 ;

黑田尚孝 .

中国专利 :CN1249780C ,2002-11-06

[10]

SiC衬底上GaN基材料的制备方法及半导体器件 [P].

郭艳敏 ;

尹甲运 ;

李佳 ;

王波 ;

张志荣 ;

芦伟立 ;

高楠 ;

房玉龙 ;

冯志红 .

中国专利 :CN113628954A ,2021-11-09

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