硅衬底GaN基LED及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011635543.2

申请日：

2020-12-31

公开(公告)号：

CN112736171A

公开(公告)日：

2021-04-30

发明(设计)人：

周名兵

申请人：

申请人地址：

330096 江西省南昌市高新开发区艾溪湖北路699号

IPC主分类号：

H01L3312

IPC分类号：

H01L3306 H01L3332 H01L3302 H01L3300

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-08-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 33/12 申请日:20201231
2021-04-30	公开	公开

共 50 条

[1]

一种硅衬底GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

谢志文 ;

张铭信 ;

陈铭胜 .

中国专利 :CN114937721A ,2022-08-23

[2]

硅衬底GaN基LED外延生长方法 [P].

张勇 .

中国专利 :CN108110093A ,2018-06-01

[3]

硅衬底GaN基LED结构及其制作方法 [P].

刘凯 ;

孙夕庆 .

中国专利 :CN102496665A ,2012-06-13

[4]

GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

琚晶 ;

马后永 ;

游正璋 ;

李起鸣 ;

张宇 ;

徐慧文 .

中国专利 :CN105336819A ,2016-02-17

[5]

GaN基LED外延结构及其制备方法 [P].

琚晶 ;

马后永 ;

游正璋 ;

李起鸣 ;

张宇 ;

徐慧文 .

中国专利 :CN105336821A ,2016-02-17

[6]

GaN基绿光LED外延片及其制备方法、LED [P].

印从飞 ;

张彩霞 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117239025B ,2024-02-20

[7]

一种生长GaN基LED的硅图形衬底及其制备方法 [P].

李述体 ;

易翰祥 ;

王幸福 .

中国专利 :CN102810612A ,2012-12-05

[8]

一种GaN基LED外延片及其制备方法 [P].

张志刚 ;

王群 ;

郭炳磊 ;

葛永辉 ;

胡加辉 ;

魏世祯 .

中国专利 :CN105023979A ,2015-11-04

[9]

SiC衬底GaN基紫外LED外延片、SiC衬底GaN基紫外LED器件及制备方法 [P].

蒋建华 ;

梁红伟 ;

夏晓川 ;

黄慧诗 ;

闫晓密 .

中国专利 :CN104979446A ,2015-10-14

[10]

利用硅001晶面制备GaN基LED的图形衬底的方法 [P].

谢建春 .

中国专利 :CN101471402A ,2009-07-01

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