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GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法

被引：0
申请号：
CN202110578692.8
申请日：
2021-05-26
公开(公告)号：
CN115410971A
公开(公告)日：
2022-11-29
发明(设计)人：
刘凯
申请人：
申请人地址：
215123 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号西北区20幢517-A室
IPC主分类号：
H01L21683
IPC分类号：
H01L2178 H01L3300
代理机构：
北京博思佳知识产权代理有限公司 11415
代理人：
林祥
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-11-29 公开 公开
2022-12-16 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/683 申请日:20210526
共 50 条
[1]
GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法 [P]. 
刘凯 .
中国专利 :CN115410971B ,2025-11-25
[2]
LED结构及其GaN基衬底、GaN基衬底的制作方法 [P]. 
刘慰华 ;
程凯 .
中国专利 :CN116438665B ,2025-04-25
[3]
低接触电阻型GaN基器件及其制作方法 [P]. 
杨凌 ;
康慨 ;
周小伟 ;
马晓华 ;
郝跃 .
中国专利 :CN106449737B ,2017-02-22
[4]
GaN基半导体发光元件及其制作方法 [P]. 
奥山浩之 ;
琵琶刚志 .
中国专利 :CN101142693A ,2008-03-12
[5]
GaN基图形衬底模板的制备方法 [P]. 
张佰君 ;
卫静婷 ;
饶文涛 .
中国专利 :CN101814427A ,2010-08-25
[6]
一种GaN基器件隔离的方法 [P]. 
王蓉 ;
开翠红 ;
皮孝东 ;
刘小平 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN114267629B ,2025-12-16
[7]
一种GaN基器件隔离的方法 [P]. 
王蓉 ;
开翠红 ;
皮孝东 ;
刘小平 ;
杨德仁 .
中国专利 :CN114267629A ,2022-04-01
[8]
基于阳极氧化铝的GaN基图形衬底模板的制作方法 [P]. 
张佰君 ;
卫静婷 ;
饶文涛 .
中国专利 :CN101807518A ,2010-08-18
[9]
一种低接触电阻型GaN基器件及其制作方法 [P]. 
祝杰杰 ;
马晓华 ;
郭静姝 ;
徐佳豪 ;
刘思雨 ;
宓珉瀚 .
中国专利 :CN114361032A ,2022-04-15
[10]
GaN基器件的单片集成结构及其制备方法 [P]. 
张兵 ;
莫炯炯 ;
郁发新 .
中国专利 :CN117690925B ,2024-05-14
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