低接触电阻型GaN基器件及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611087793.0

申请日：

2016-12-01

公开(公告)号：

CN106449737B

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

杨凌康慨周小伟马晓华郝跃

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L2945

IPC分类号：

H01L2128 H01L21336

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;朱红星

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-21	授权	授权
2017-02-22	公开	公开
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708610697 IPC(主分类):H01L 29/45 专利申请号:2016110877930 申请日:20161201

共 50 条

[1]

一种低接触电阻型GaN基器件及其制作方法 [P].

祝杰杰 ;

马晓华 ;

郭静姝 ;

徐佳豪 ;

刘思雨 ;

宓珉瀚 .

中国专利 :CN114361032A ,2022-04-15

[2]

一种高可靠性低接触电阻型GaN基器件及其制作方法 [P].

祝杰杰 ;

马晓华 ;

郭静姝 ;

赵旭 ;

徐佳豪 .

中国专利 :CN114361030A ,2022-04-15

[3]

一种低接触电阻的GaN基器件及其制备方法 [P].

吴畅 ;

邢绍琨 ;

刘捷龙 ;

王凯 ;

李程程 .

中国专利 :CN118039687A ,2024-05-14

[4]

一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法 [P].

朱广润 ;

张凯 ;

周建军 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN112885899A ,2021-06-01

[5]

一种低欧姆接触电阻的半导体器件及其制作方法 [P].

裴轶 ;

刘沙沙 .

中国专利 :CN104051523A ,2014-09-17

[6]

一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件 [P].

朱广润 ;

张凯 ;

周建军 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN213782023U ,2021-07-23

[7]

低频率损耗GaN基微波功率器件及其制作方法 [P].

杨凌 ;

芦浩 ;

马晓华 ;

康慨 ;

周小伟 ;

宓珉瀚 ;

祝杰杰 ;

郝跃 .

中国专利 :CN107248528B ,2017-10-13

[8]

一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基p沟道器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

王博麟 ;

张濛 ;

牛雪锐 ;

杨凌 ;

侯斌 ;

武玫 ;

宓珉瀚 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114530496B ,2025-06-06

[9]

一种改善欧姆接触电阻的N面GaN基p沟道器件及其制备方法 [P].

马晓华 ;

王博麟 ;

张濛 ;

牛雪锐 ;

杨凌 ;

侯斌 ;

武玫 ;

宓珉瀚 ;

郝跃 .

中国专利 :CN114530496A ,2022-05-24

[10]

低接触电阻的氧化镓基场效应晶体管及其制作方法 [P].

苏杰 ;

常晶晶 ;

马开创 ;

林珍华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN113421915A ,2021-09-21

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