一种高可靠性低接触电阻型GaN基器件及其制作方法

被引：0

申请号：

CN202111396397.7

申请日：

2021-11-23

公开(公告)号：

CN114361030A

公开(公告)日：

2022-04-15

发明(设计)人：

祝杰杰马晓华郭静姝赵旭徐佳豪

申请人：

申请人地址：

710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L21033 H01L29778

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

王萌

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-04-15	公开	公开
2022-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20211123

共 50 条

[1]

一种低接触电阻型GaN基器件及其制作方法 [P].

祝杰杰 ;

马晓华 ;

郭静姝 ;

徐佳豪 ;

刘思雨 ;

宓珉瀚 .

中国专利 :CN114361032A ,2022-04-15

[2]

低接触电阻型GaN基器件及其制作方法 [P].

杨凌 ;

康慨 ;

周小伟 ;

马晓华 ;

郝跃 .

中国专利 :CN106449737B ,2017-02-22

[3]

一种低接触电阻的GaN基器件及其制备方法 [P].

吴畅 ;

邢绍琨 ;

刘捷龙 ;

王凯 ;

李程程 .

中国专利 :CN118039687A ,2024-05-14

[4]

一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件 [P].

朱广润 ;

张凯 ;

周建军 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN213782023U ,2021-07-23

[5]

一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件及其制造方法 [P].

朱广润 ;

张凯 ;

周建军 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN112885899A ,2021-06-01

[6]

一种低欧姆接触电阻的半导体器件及其制作方法 [P].

裴轶 ;

刘沙沙 .

中国专利 :CN104051523A ,2014-09-17

[7]

GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法 [P].

赵妙 ;

刘新宇 ;

郑英奎 ;

李艳奎 ;

欧阳思华 .

中国专利 :CN103728545B ,2014-04-16

[8]

一种高可靠性HEMT制作方法 [P].

彭虎 ;

张耀辉 ;

莫海锋 .

中国专利 :CN106920747A ,2017-07-04

[9]

一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

袁嵩 ;

张世杰 ;

江希 ;

姜涛 ;

严兆恒 ;

何艳静 ;

弓小武 .

中国专利 :CN115172437B ,2025-12-05

[10]

一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

袁嵩 ;

张世杰 ;

江希 ;

姜涛 ;

严兆恒 ;

何艳静 ;

弓小武 .

中国专利 :CN115274440B ,2025-11-07

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