GaN基器件肖特基接触可靠性的评价方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410005400.1

申请日：

2014-01-06

公开(公告)号：

CN103728545B

公开(公告)日：

2014-04-16

发明(设计)人：

赵妙刘新宇郑英奎李艳奎欧阳思华

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路３号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

G01R3102

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

王宝筠

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-04-16	公开	公开
2014-05-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582224989 IPC(主分类):G01R 31/26 专利申请号:2014100054001 申请日:20140106
2017-03-22	授权	授权

共 50 条

[1]

一种测量GaN基器件热可靠性的方法 [P].

赵妙 ;

刘新宇 ;

罗卫军 ;

郑英奎 ;

陈晓娟 ;

彭铭曾 ;

李艳奎 .

中国专利 :CN102955113A ,2013-03-06

[2]

一种高可靠性低接触电阻型GaN基器件及其制作方法 [P].

祝杰杰 ;

马晓华 ;

郭静姝 ;

赵旭 ;

徐佳豪 .

中国专利 :CN114361030A ,2022-04-15

[3]

GaN基器件欧姆接触电极的制备方法 [P].

谭永亮 ;

吕鑫 ;

赵红刚 ;

胡泽先 ;

崔玉兴 ;

付兴昌 .

中国专利 :CN108597997B ,2018-09-28

[4]

一种GaN HEMT器件的肖特基参数提取方法 [P].

王鑫华 ;

赵妙 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN101655883A ,2010-02-24

[5]

一种高可靠性肖特基接触超级势垒整流器 [P].

陈文锁 ;

廖瑞金 .

中国专利 :CN108091682A ,2018-05-29

[6]

基于肖特基接触的双层硅基光电突触器件及制备方法 [P].

陈柯辛 ;

顾鹏 ;

杨志强 ;

李春梅 ;

王金勇 ;

蒋向东 ;

李伟 .

中国专利 :CN113675291A ,2021-11-19

[7]

GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法 [P].

刘凯 .

中国专利 :CN115410971A ,2022-11-29

[8]

GaN基复合衬底、GaN基器件及其制作方法 [P].

刘凯 .

中国专利 :CN115410971B ,2025-11-25

[9]

用于半导体器件的肖特基接触结构以及用于形成这种肖特基接触结构的方法 [P].

K·塔巴塔比-阿拉维 ;

K·程 ;

C·J·麦克唐纳 .

中国专利 :CN110383487A ,2019-10-25

[10]

GaN基器件中阻止欧姆接触铝元素横向扩散的方法 [P].

王鑫华 ;

黄森 ;

魏珂 ;

刘新宇 .

中国专利 :CN105206524A ,2015-12-30

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