一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210725132.5

申请日：

2022-06-24

公开(公告)号：

CN115172437B

公开(公告)日：

2025-12-05

发明(设计)人：

袁嵩张世杰江希姜涛严兆恒何艳静弓小武

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

H10D62/10

IPC分类号：

H10D30/01 H10D30/47

代理机构：

西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230

代理人：

李薇

法律状态：

授权

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-05	授权	授权

共 50 条

[1]

一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

袁嵩 ;

张世杰 ;

江希 ;

姜涛 ;

严兆恒 ;

何艳静 ;

弓小武 .

中国专利 :CN115274440B ,2025-11-07

[2]

高栅极可靠性的GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

于国浩 ;

孙英斐 ;

张宇翔 ;

曾中明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN119698016A ,2025-03-25

[3]

一种GaN HEMT器件的热可靠性评估方法 [P].

刘胜厚 ;

孟天颖 ;

卢益锋 ;

张辉 ;

蔡仙清 .

中国专利 :CN111665430A ,2020-09-15

[4]

高可靠性超结功率器件 [P].

朱袁正 ;

叶鹏 ;

周锦程 ;

李宗清 .

中国专利 :CN216597593U ,2022-05-24

[5]

一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法 [P].

赵妙 ;

王鑫华 ;

刘新宇 ;

郑英奎 ;

李艳奎 ;

欧阳思华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN102338846A ,2012-02-01

[6]

GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法 [P].

郭伟玲 ;

陈艳芳 ;

孙捷 ;

李松宇 .

中国专利 :CN106226672A ,2016-12-14

[7]

低成本高可靠性的功率半导体器件及其制备方法 [P].

杨飞 ;

白玉明 ;

吴凯 ;

朱阳军 .

中国专利 :CN110444583A ,2019-11-12

[8]

一种高可靠性HEMT制作方法 [P].

彭虎 ;

张耀辉 ;

莫海锋 .

中国专利 :CN106920747A ,2017-07-04

[9]

一种新型高可靠性IGBT及其制造方法 [P].

赵家宽 ;

黄传伟 ;

李健 ;

吕文生 ;

谈益民 .

中国专利 :CN112103181A ,2020-12-18

[10]

一种GaN HEMT器件可靠性在片筛选的方法 [P].

孔月婵 .

中国专利 :CN102721913A ,2012-10-10

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