一种GaN HEMT器件的热可靠性评估方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010233532.5

申请日：

2020-03-27

公开(公告)号：

CN111665430A

公开(公告)日：

2020-09-15

发明(设计)人：

刘胜厚孟天颖卢益锋张辉蔡仙清

申请人：

申请人地址：

361000 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

H01L2920 H01L29778

代理机构：

厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204

代理人：

张松亭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G01R 31/26 申请日:20200327
2020-09-15	公开	公开

共 50 条

[1]

一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法 [P].

赵妙 ;

王鑫华 ;

刘新宇 ;

郑英奎 ;

李艳奎 ;

欧阳思华 ;

魏珂 .

中国专利 :CN102338846A ,2012-02-01

[2]

GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法 [P].

郭伟玲 ;

陈艳芳 ;

孙捷 ;

李松宇 .

中国专利 :CN106226672A ,2016-12-14

[3]

一种测量GaN基器件热可靠性的方法 [P].

赵妙 ;

刘新宇 ;

罗卫军 ;

郑英奎 ;

陈晓娟 ;

彭铭曾 ;

李艳奎 .

中国专利 :CN102955113A ,2013-03-06

[4]

高栅极可靠性的GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

于国浩 ;

孙英斐 ;

张宇翔 ;

曾中明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN119698016A ,2025-03-25

[5]

一种GaN HEMT器件可靠性在片筛选的方法 [P].

孔月婵 .

中国专利 :CN102721913A ,2012-10-10

[6]

一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

袁嵩 ;

张世杰 ;

江希 ;

姜涛 ;

严兆恒 ;

何艳静 ;

弓小武 .

中国专利 :CN115274440B ,2025-11-07

[7]

一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

袁嵩 ;

张世杰 ;

江希 ;

姜涛 ;

严兆恒 ;

何艳静 ;

弓小武 .

中国专利 :CN115172437B ,2025-12-05

[8]

一种提取GaN HEMT器件热源模型的方法 [P].

李姚 ;

郑子轩 ;

蒲红斌 .

中国专利 :CN113505504A ,2021-10-15

[9]

一种塑封器件可靠性评估方法 [P].

赵航 ;

罗鑫锋 ;

陈宽宽 .

中国专利 :CN115753975B ,2024-12-20

[10]

一种高栅极可靠性的增强型GaN HEMT器件 [P].

罗启宇 ;

陈子煊 ;

李霆威 ;

左建伟 ;

杨博 ;

施媛媛 .

中国专利 :CN214672629U ,2021-11-09

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