一种GaN基HEMT器件的可靠性评估方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010233999.6

申请日：

2010-07-22

公开(公告)号：

CN102338846A

公开(公告)日：

2012-02-01

发明(设计)人：

赵妙王鑫华刘新宇郑英奎李艳奎欧阳思华魏珂

申请人：

申请人地址：

100029 北京市朝阳区北土城西路3号

IPC主分类号：

G01R3126

IPC分类号：

代理机构：

北京市德权律师事务所 11302

代理人：

王建国

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-14	授权	授权
2021-08-20	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):G01R 31/26 登记生效日:20210810 变更事项:专利权人变更前权利人:中国科学院微电子研究所变更后权利人:昆山工研院第三代半导体研究院有限公司变更事项:地址变更前权利人:100029 北京市朝阳区北土城西路3号变更后权利人:215300 江苏省苏州市昆山市玉山镇祖冲之南路1699号综合楼北楼8楼802室
2012-02-01	公开	公开
2012-03-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101211310712 IPC(主分类):G01R 31/26 专利申请号:2010102339996 申请日:20100722

共 50 条

[1]

一种GaN HEMT器件的热可靠性评估方法 [P].

刘胜厚 ;

孟天颖 ;

卢益锋 ;

张辉 ;

蔡仙清 .

中国专利 :CN111665430A ,2020-09-15

[2]

GaN基HEMT器件的热可靠性评价方法 [P].

郭伟玲 ;

陈艳芳 ;

孙捷 ;

李松宇 .

中国专利 :CN106226672A ,2016-12-14

[3]

一种GaN HEMT器件可靠性在片筛选的方法 [P].

孔月婵 .

中国专利 :CN102721913A ,2012-10-10

[4]

一种测量GaN基器件热可靠性的方法 [P].

赵妙 ;

刘新宇 ;

罗卫军 ;

郑英奎 ;

陈晓娟 ;

彭铭曾 ;

李艳奎 .

中国专利 :CN102955113A ,2013-03-06

[5]

一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

袁嵩 ;

张世杰 ;

江希 ;

姜涛 ;

严兆恒 ;

何艳静 ;

弓小武 .

中国专利 :CN115274440B ,2025-11-07

[6]

一种新型高可靠性GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

袁嵩 ;

张世杰 ;

江希 ;

姜涛 ;

严兆恒 ;

何艳静 ;

弓小武 .

中国专利 :CN115172437B ,2025-12-05

[7]

一种GaN基HEMT器件 [P].

文正 ;

孟迪 ;

林书勋 ;

郝一龙 ;

吴文刚 .

中国专利 :CN104167438A ,2014-11-26

[8]

一种GaN基HEMT器件 [P].

刘洪刚 ;

常虎东 ;

孙兵 .

中国专利 :CN108598149A ,2018-09-28

[9]

高栅极可靠性的GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

于国浩 ;

孙英斐 ;

张宇翔 ;

曾中明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN119698016A ,2025-03-25

[10]

GaN基HEMT外延片及其制备方法、HEMT器件 [P].

郑文杰 ;

程龙 ;

高虹 ;

刘春杨 ;

胡加辉 ;

金从龙 .

中国专利 :CN117727773B ,2024-04-19

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